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UD4614G-S08-R

更新时间： 2024-09-24 07:09:11

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
DUAL ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL/P-CHANNEL)

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UD4614G-S08-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.031 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UD4614G-S08-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UD4614

Power MOSFET

DUAL ENHANCEMENT MODE

(N-CHANNEL/P-CHANNEL)

DESCRIPTION

The UTC UD4614 can provide excellent R_DS(ON)and low gate

charge by using advanced trench technology MOSFETs. The

UTC UD4614 may be used in H-bridge, inverters and other

applications.

FEATURES

* N-Channel: 40V/6A

_DS(ON)= 23.2mΩ (typ.) @ V_GS=10V

_DS(ON)= 32.6mΩ (typ.) @ V_GS= 4.5V

* P-Channel: -40V/-5A

_DS(ON)= 34.7mΩ (typ.) @ V_GS= -10V

_DS(ON)= 50.6mΩ (typ.) @ V_GS= -4.5V

* Super high dense cell design

* Reliable and Rugged

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Package

SOP-8

Packing

Tape Reel

Lead Free

Halogen Free

UD4614G-S08-R

UD4614L-S08-R

www.unisonic.com.tw

1 of 9

QW-R502-147.B

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