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UCC5880-Q1

更新时间: 2024-11-09 11:13:51
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德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
12页 986K
描述
具有高级保护功能的汽车类 20A 隔离式实时可变 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

UCC5880-Q1 数据手册

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UCC5880-Q1  
ZHCSRG0 DECEMBER 2022  
UCC5880-Q1 具有适用于汽车应用的高级保护功能的隔离20A 可调栅极驱动  
IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器  
1 特性  
2 应用  
• 具有动态可编程驱动强度的双路输出分离驱动器  
±15A ±5A 驱动电流输出  
• 电动汽车和混合动力汽车牵引逆变器  
• 电动汽车和混合动力汽车电源模块  
– 用于在没SPI 时进行驱动强度调整的数字输入  
(GD*)  
3 电阻设R1R2 R1||R2  
– 用于米勒钳位晶体管的集成4A 有源米勒钳位  
或可选的外部驱动器  
3 说明  
UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式可调压  
摆率栅极驱动器专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功  
SiC MOSFET IGBT。该器件提供功率晶体管保  
护功能如基于分流电阻的过流保护、过热保护  
PTCNTC 或二极管以及 DESAT 检测包括在  
这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。为了进一  
步缩小应用尺寸UCC5880-Q1 集成了可用的有源米  
勒钳位以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电  
阻。集成的 10 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输  
入、VCC2DESAT 以及栅极驱动器温度从而增强  
系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标  
准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI  
进行配置因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或  
IGBT 一同使用。  
• 支持初级侧和次级侧主动短(ASC)  
• 内部和外部电源欠压和过压保护  
• 驱动器内核温度检测和过热保护  
• 短路保护:  
75ns 的过流事件响应时间  
DESAT 承受高14V 的电压  
– 基于分流电阻器的过流保护  
– 可配置保护阈值和消隐时间  
– 可编程软关(STO) 和两级软关(2STO) 电流  
• 集10 ADC  
– 电源开关温度, 驱动器内核温度, DESAT 引脚电  
, VCC2 电压, 相电流, 直流链路电压  
– 可编程数字比较器  
器件信息  
(1)  
器件型号  
封装尺寸标称值)  
• 高VCE/VDS 钳位电路  
符合功能安全标准  
UCC5880DFC-Q1  
SSOP (32)  
10.5mm x 7.5mm  
– 专为功能安全应用开发  
– 有助于使ISO 26262 系统设计符ASIL D 要求  
的文档  
GND1  
GND1  
DESAT  
VCC2  
GND1  
VCC1  
GND2  
GND2  
INN  
INP  
Motor  
Driver  
OUTH1  
OUTH2  
• 集成型诊断:  
VCP  
VCC2  
– 针对保护比较器的内置自(BIST)  
– 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量  
INP 至晶体管栅极路径完整性  
– 内部时钟监测  
nFLT1  
nFLT2  
OUTL1  
OUTL2  
GD*[2:0]  
MCU  
CLAMP  
GND2  
nCS  
SCLK  
SDI  
ASC_EN_SEC  
ASC_SEC  
AI*  
GND2  
SDO  
ASC_EN_PRI  
ASC_PRI  
– 故障警报和警告输(nFLT*)  
ISO 通信数据完整性检查  
• 可通SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊  
GND2  
VREF  
GND2  
VEE2  
GND1  
GND2  
GND1  
VEE2  
3-1. 简化原理图  
100kV/µs CMTI  
• 安全相关认证:  
– 符UL1577 标准且长1 分钟5kVRMS 隔离  
计划)  
– 符DIN VDE 0884-11 的增强型隔离  
7070VPK2017-01计划)  
• 具有符AEC-Q100 标准的下列结果:  
• – 器件温度等1-40°C +125°C 环境工作温  
度范围  
– 器HBM ESD 分类等2  
– 器CDM ESD 分类等C4B  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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English Data Sheet: SLUSF39  
 
 

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