UCC5880-Q1
ZHCSRG0 –DECEMBER 2022
UCC5880-Q1 具有适用于汽车应用的高级保护功能的隔离式20A 可调栅极驱动
IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器
1 特性
2 应用
• 具有动态可编程驱动强度的双路输出分离驱动器
– ±15A 和±5A 驱动电流输出
• 电动汽车和混合动力汽车牵引逆变器
• 电动汽车和混合动力汽车电源模块
– 用于在没有SPI 时进行驱动强度调整的数字输入
引脚(GD*)
– 3 电阻设置R1、R2 或R1||R2
– 用于米勒钳位晶体管的集成式4A 有源米勒钳位
或可选的外部驱动器
3 说明
UCC5880-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式可调压
摆率栅极驱动器,专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功
率 SiC MOSFET 和 IGBT。该器件提供功率晶体管保
护功能,例如基于分流电阻的过流保护、过热保护
(PTC、NTC 或二极管)以及 DESAT 检测,包括在
这些故障期间可选择的软关断或两级软关断。为了进一
步缩小应用尺寸,UCC5880-Q1 集成了可用的有源米
勒钳位,以及在驱动器未通电时可用的有源栅极下拉电
阻。集成的 10 位 ADC 可用于监控多达 2 个模拟输
入、VCC2、DESAT 以及栅极驱动器温度,从而增强
系统管理。集成的诊断和检测功能可简化符合 ASIL 标
准的系统的设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI
进行配置,因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或
IGBT 一同使用。
• 支持初级侧和次级侧主动短路(ASC)
• 内部和外部电源欠压和过压保护
• 驱动器内核温度检测和过热保护
• 短路保护:
– 75ns 的过流事件响应时间
– DESAT 保护–可承受高达14V 的电压
– 基于分流电阻器的过流保护
– 可配置保护阈值和消隐时间
– 可编程软关断(STO) 和两级软关断(2STO) 电流
• 集成10 位ADC
– 电源开关温度, 驱动器内核温度, DESAT 引脚电
压, VCC2 电压, 相电流, 直流链路电压
– 可编程数字比较器
器件信息
封装(1)
器件型号
封装尺寸(标称值)
• 高级VCE/VDS 钳位电路
• 符合功能安全标准
UCC5880DFC-Q1
SSOP (32)
10.5mm x 7.5mm
– 专为功能安全应用开发
– 有助于使ISO 26262 系统设计符合ASIL D 要求
的文档
GND1
GND1
DESAT
VCC2
GND1
VCC1
GND2
GND2
INN
INP
Motor
Driver
OUTH1
OUTH2
• 集成型诊断:
VCP
VCC2
– 针对保护比较器的内置自检(BIST)
– 用于功率器件运行状况监测的栅极阈值电压测量
– INP 至晶体管栅极路径完整性
– 内部时钟监测
nFLT1
nFLT2
OUTL1
OUTL2
GD*[2:0]
MCU
CLAMP
GND2
nCS
SCLK
SDI
ASC_EN_SEC
ASC_SEC
AI*
GND2
SDO
ASC_EN_PRI
ASC_PRI
– 故障警报和警告输出(nFLT*)
– ISO 通信数据完整性检查
• 可通过SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊
断
GND2
VREF
GND2
VEE2
GND1
GND2
GND1
VEE2
图3-1. 简化原理图
• 100kV/µs CMTI
• 安全相关认证:
– 符合UL1577 标准且长达1 分钟的5kVRMS 隔离
(计划)
– 符合DIN VDE 0884-11 的增强型隔离
7070VPK:2017-01(计划)
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列结果:
• – 器件温度等级1:-40°C 至+125°C 环境工作温
度范围
– 器件HBM ESD 分类等级2
– 器件CDM ESD 分类等级C4B
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