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UCC5871-Q1

更新时间： 2024-11-28 11:12:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
30页 1851K
描述
具有高级保护功能的汽车类 30A 隔离式 5.7kV VRMS IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器

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UCC5871-Q1 数据手册

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UCC5871-Q1  
ZHCSRA0 –DECEMBER 2022  
UCC5871-Q1 具有高级保护功能、适用于汽车应用的30A 隔离式IGBT/SiC  
MOSFET 栅极驱动器  
1 特性  
2 应用  
• 分离输出驱动器，以提供峰值为30A 的拉电流和峰  
值为30A 的灌电流  
• 混合动力汽车和电动汽车牵引逆变器  
• 混合动力汽车和电动汽车电源模块  
• 具有150ns（最大值）传播延迟和可编程最小脉冲  
抑制的互锁和击穿保护  
3 说明  
UCC5871-Q1 器件是一款高度可配置的隔离式单通道  
栅极驱动器，专用于驱动 EV/HEV 应用中的大功率  
SiC MOSFET 和IGBT。该器件提供功率晶体管保护，  
例如基于分流电阻器的过流保护、基于 NTC 的过热保  
护以及 DESAT 检测，还在这些故障期间提供可选的软  
关断或两级关断。为了进一步缩小应用尺寸，  
UCC5871-Q1 可在开关期间提供 4A 有源米勒钳位，  
在驱动器未通电时提供有源栅极下拉。集成的 10 位  
ADC 可用于监控多达六个模拟输入以及栅极驱动器温  
度，从而增强系统管理。集成的诊断和检测功能可简化  
系统设计。这些功能的参数和阈值可使用 SPI 接口进  
行配置，因此该器件几乎可与任何 SiC MOSFET 或  
IGBT 一同使用。  
• 支持初级侧和次级侧主动短路(ASC)  
• 可配置功率晶体管保护  
– 基于DESAT 的短路保护  
– 基于分流电阻器的过流和短路保护  
– 基于NTC 的过热保护  
– 在功率晶体管发生故障时提供可编程软关断  
(STO) 和两级关断(2LTOFF) 保护  
• 功能安全合规型  
– 专为功能安全应用开发  
– 可帮助使ISO 26262 系统设计符合ASIL D 要求  
的文档  
• 集成型诊断：  
– 针对保护比较器的内置自检(BIST)  
– IN+ 至晶体管栅极路径完整性  
– 功率晶体管阈值监测  
器件信息  
器件型号(1)  
封装尺寸（标称值）  
封装  
– 内部时钟监测  
UCC5871-Q1  
SSOP (36)  
12.8mm × 7.5mm  
– 故障警报(nFLT1) 和警告(nFLT2) 输出  
• 用于米勒钳位晶体管的集成式4A 有源米勒钳位或  
可选的外部驱动器  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
• 高级高压钳位控制  
VI/O  
15V to 30V  
• 内部和外部电源欠压和过压保护  
• 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下  
默认输出低电平  
• 驱动器内核温度检测和过热保护  
• 在VCM = 1000V 时，共模瞬态抗扰度(CMTI) 的最  
小值为100kV/μs  
VCC1  
VCC2  
GND2  
GND1  
MCU  
DESAT  
nFLT1  
GND2  
nFLT2/DOUT  
VCECLP  
IN+  
IN-  
VBST  
OUTH  
OUTL  
VEE2  
nCS  
CLK  
SDI  
• 可通过SPI 对器件进行重新配置、验证、监控和诊  
断
CLAMP  
SDO  
Safety  
ASC  
GND2  
• 用于功率晶体管温度、电压、电流监测的集成式10  
位ADC  
ASC_EN  
Controller  
GND2  
AIx[1:6]  
VREF  
VREG1  
GND1  
VREG2  
VEE2  
GND2  
-12V to 0V  
GND1  
GND2  
VEE2  
简化原理图  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSF42  
 
 
 
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