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UCC5390ECQDWVQ1

更新时间： 2024-09-21 11:10:11
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德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
37页 1346K
描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO（以 GND 为基准）的汽车类 5kVrms、17A 单通道隔离式栅极驱动器 | DWV | 8 | -40 to 125

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UCC5390-Q1  
ZHCSKG7A –OCTOBER 2019–REVISED NOVEMBER 2019  
适用于 SiC/IGBT 和汽车应用的 UCC5390-Q1 单通道隔离式栅极驱动器  
1 特性  
•
工作结温范围：–40°C 至 +150°C  
1
•
•
5kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器  
符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准  
2 应用  
•
•
•
车载充电器  
–
–
–
温度等级 1  
适用于电动汽车的牵引逆变器  
直流充电站  
HBM ESD 分类等级 H2  
CDM ESD 分类等级 C6  
•
•
•
•
•
•
•
•
•
•
以 GND2 为基准的 12V UVLO  
8 引脚 DWV（8.5mm 爬电）封装  
60ns（典型）传播延迟  
较小的部件间传播延迟偏移  
100V/ns 最小 CMTI  
3 说明  
UCC5390-Q1 是一款单通道隔离式栅极驱动器，具有  
10A 峰值拉电流和 10A 峰值灌电流旨在驱动  
MOSFET、IGBT 和 SiC MOSFET。UCC5390-Q1 的  
UVLO2 以 GND2 为基准，从而有利于使用双极电源并  
优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性。  
10A 最小峰值电流  
3V 至 15V 输入电源电压  
驱动器电源电压高达 33V  
输入引脚具有负 5V 电压处理能力  
安全相关认证：  
UCC5390-Q1 采用 8.5mm SOIC-8 (DWV) 封装，可支  
持高达 5kVRMS 的隔离电压。输入侧通过 SiO2 电容隔  
离技术与输出侧相隔离，隔离层寿命超过 40 年。凭借  
高驱动强度和真正的 UVLO 检测，该器件非常适用于  
在车载充电器和牵引逆变器等 应用 中驱动 IGBT 和  
SiC MOSFET。  
–
–
–
符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 标准的  
7000VPK 隔离 (DWV)（计划）  
5000VRMS (DWV) 隔离等级长达 1 分钟（符合  
UL 1577 标准）  
与光耦合器相比，UCC5390-Q1 的部件间偏移更低，  
传播延迟更小，工作温度更高，并且 CMTI 更高。  
符合 GB4943.1-2011 的 CQC 认证  
•
CMOS 输入  
4 功能方框图  
5 V  
15V  
VCC2  
VCC1  
UVLO2  
VCC2  
Rest of  
Circuit  
UVLO,  
Level  
Shift  
UVLO  
and  
IN+  
OUT  
and  
t
Control  
Logic  
Input  
Logic  
INœ  
GND2  
GND1  
VEE2  
-8V  
1
本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。 有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确  
性和有效性。 在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
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UCC5390ECQDWVRQ1 TI

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