型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UCC5390 | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390ECD | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390ECDR | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390ECDWV | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390ECDWVR | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390ECQDWVQ1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO(以 GND 为基准)的汽车类 5 | |
UCC5390ECQDWVRQ1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO(以 GND 为基准)的汽车类 5 | |
UCC5390-Q1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 UVLO(以 GND 为基准)的汽车类 5 | |
UCC5390SCD | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 | |
UCC5390SCDR | TI |
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具有 UVLO(以 GND 为基准)或分离输出的 3kVrms/5kVrms、±10A 单 |