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UCC28C57LDR

更新时间： 2024-11-24 11:11:11

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德州仪器 - TI		控制器
页数	文件大小	规格书
57页	3471K
描述
工业类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，适用于 SiC，18.8V/14.5V UVLO，50% 占空比 \| D \| 8 \| -40 to 125

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UCC28C57LDR 数据手册

UCC28C50, UCC28C51, UCC28C52, UCC28C53, UCC28C54, UCC28C55, UCC28C56H, UCC28C56L,

UCC28C57H, UCC28C57L, UCC28C58, UCC28C59, UCC38C50, UCC38C51, UCC38C52, UCC38C53,

UCC38C54, UCC38C55

ZHCSPH5C –JUNE 2022 –REVISED MARCH 2023

UCCx8C5x 适用于Si 和SiC MOSFET 的

BiCMOS 低功耗电流模式PWM 控制器

VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理

想方式驱动 20V_gs、18V_gs或 15V_gsSiC MOSFET 的

1 特性

• 支持Si 和SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项

• 30V VDD 绝对最大电压

• 1MHz 最大固定频率工作

• 50μA 启动电流，最大值75μA

• 低工作电流: 1.3mA（f_OSC= 52kHz）

• 35ns 快速逐周期过流限制

• 峰值驱动电流为±1A

栅极，同时可无需使用外部LDO。

器件性能改进

UCCx8C4x

UCCx8C5x

1.3mA

参数

52kHz 时的电源电流

启动电流（上限值）

VDD 绝对上限值

2.3mA

100µA

20V

75µA

30V

±2%

±1%

基准电压精度

• 轨到轨输出

– 25ns 上升时间

– 20ns 下降时间

• 精度为±1% 的2.5V 误差放大器基准

• 与UCCx8C4x 引脚对引脚兼容的可直接替代产品

• 提供功能安全

Si FET 的UVLO 和D_MAX

SiC FET 的UVLO 和D_MAX

最小封装选项

6 个选项

none

6 个选项

VSSOP (8)

UCCx8C5x 系列采用 8 引脚 VSSOP (DGK) 和 8 引脚

SOIC (D) 封装。

– 可帮助进行功能安全系统设计的文档

2 应用

器件信息

封装⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

器件型号

• 通用单端直流/直流或离线隔离式电源转换器

• 太阳能逆变器、电机驱动器、储能系统的辅助电源

• EV 充电站的隔离式电源

SOIC (8)

3.91mm × 4.90mm

UCC28C50、UCC28C51

UCC28C52、UCC28C53、

UCC28C54、UCC28C55、

UCC38C50、UCC38C51

UCC38C52、UCC38C53

UCC38C54、UCC38C55

VSSOP (8)

SOIC (8)

3.00mm × 3.00mm

3.91mm × 4.90mm

3 说明

UCCx8C5x 系列器件为高性能电流模式 PWM 控制

器，可驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。

UCCx8C5x 系列是 UCCx8C4x 的更高效、更稳健的版

本。

UCC28C56H、UCC28C56L

UCC28C57H、

UCC28C57L、

UCC28C58、UCC28C59

除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值

(UCCx8C50-55) 外，UCCx8C5x 系列还具有可确保

SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值

(UCC28C56-59)。

(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。

VIN

VOUT

VDD

OUT

VREF

UCC28C43

RT/CT

GND

COMP

简化版应用

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSER8

12 3 4 5 6 7...57

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