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UCC28C57HQDRQ1

更新时间: 2024-11-27 11:12:23
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德州仪器 - TI 控制器
页数 文件大小 规格书
54页 2568K
描述
汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器,适用于 SiC,18.8V/15.5V UVLO,50% 占空比 | D | 8 | -40 to 150

UCC28C57HQDRQ1 数据手册

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UCC28C50-Q1, UCC28C51-Q1, UCC28C52-Q1, UCC28C53-Q1, UCC28C54-Q1, UCC28C55-Q1,  
UCC28C56H-Q1, UCC28C56L-Q1, UCC28C57H-Q1, UCC28C57L-Q1, UCC28C58-Q1, UCC28C59-Q1  
ZHCSQ75C JUNE 2022 REVISED MARCH 2023  
UCC28C5x-Q1 适用Si SiC MOSFET 的汽车类低功耗、电流模式、高性能  
PWM 控制器  
1 特性  
3 说明  
• 支Si SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项  
30V VDD 绝对最大电压  
1MHz 最大固定频率工作  
50μA 启动电流最大75μA  
• 低工作电流1.3mAfOSC = 52kHz)  
• 高工TJ150°C最大值)  
35ns 快速逐周期过流限制  
• 峰值驱动电流±1A  
UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模PWM 控制  
可用于驱动各种应用中的 Si SiC MOSFET。  
UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更  
稳健的版本。  
除持续支持 Si MOSFET 现有 UVLO 值  
(UCC28C50-55-Q1) UCC28C5x-Q1 系列还具有  
可确保 SiC MOSFET 靠运行的新 UVLO 值  
(UCC28C56-59-Q1)。  
• 轨到轨输出:  
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V便于以理  
想方式驱动 20Vgs18Vgs 15Vgs SiC MOSFET 的  
栅极同时可无需使用外LDO。  
25ns 上升时间  
20ns 下降时间  
• 精度±1% 2.5V 误差放大器基准  
UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产  
器件性能改进  
UCC28C4x-Q1 UCC28C5x-Q1  
参数  
52kHz 时的电源电流  
启动电流上限值)  
VDD 绝对上限值  
• 提供功能安全  
2.3mA  
100µA  
20V  
1.3mA  
75µA  
– 可帮助进行功能安全系统设计的文档  
• 具有符AEC-Q100 标准的下列特性  
30V  
– 器件温度等1-40°C 125°C  
– 器HBM 分类等2±2kV  
– 器CDM 分类等C4B750 V  
±2%  
±1%  
基准电压精度  
Si FET UVLO DMAX  
SiC FET UVLO DMAX  
6 个选项  
none  
6 个选项  
6 个选项  
2 应用  
1. 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订  
购产品附录。  
• 牵引逆变器高压转低压备用电源  
OBC 和直流/直流转换器隔离式偏置电源  
HVAC 压缩机高压隔离式电源  
• 交流和直EV 充电设备中的单端直流转换器  
DCLAMP  
CSNUB  
RSNUB  
DOUT  
V
IN  
VOUT  
NS  
C
IN  
NP  
NA  
RSTART  
COUT  
CSS  
DBIAS  
RVDD  
RSS  
CVDD  
1
2
3
4
COMP  
FB  
VREF  
VDD  
OUT  
GND  
8
7
6
5
RCOMPp  
CCOMPp  
RG  
CS  
RRT  
QSW  
RCS  
RT/CT  
RBLEEDER  
DZ CVDDbp CVREF  
CCT  
CRAMP  
RCSF  
RDIS  
RRAMP  
RFBU  
CCSF  
RFBB  
3-1. 典型汽车应用  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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English Data Sheet: SLUSEV2  
 
 
 
 

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