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UCC28C56L-Q1

更新时间： 2024-11-24 11:14:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 控制器
页数 文件大小 规格书
54页 2568K
描述
汽车类 30V 低功耗电流模式 PWM 控制器，适用于 SiC，18.8V/14.5V UVLO，100% 占空比

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UCC28C56L-Q1 数据手册

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UCC28C50-Q1, UCC28C51-Q1, UCC28C52-Q1, UCC28C53-Q1, UCC28C54-Q1, UCC28C55-Q1,  
UCC28C56H-Q1, UCC28C56L-Q1, UCC28C57H-Q1, UCC28C57L-Q1, UCC28C58-Q1, UCC28C59-Q1  
ZHCSQ75C –JUNE 2022 –REVISED MARCH 2023  
UCC28C5x-Q1 适用于Si 和SiC MOSFET 的汽车类低功耗、电流模式、高性能  
PWM 控制器  
1 特性  
3 说明  
• 支持Si 和SiC MOSFET 应用的欠压锁定选项  
• 30V VDD 绝对最大电压  
• 1MHz 最大固定频率工作  
• 50μA 启动电流，最大值75μA  
• 低工作电流：1.3mA（fOSC = 52kHz）  
• 高工作TJ：150°C（最大值）  
• 35ns 快速逐周期过流限制  
• 峰值驱动电流为±1A  
UCC28C5x-Q1 系列器件为高性能电流模式PWM 控制  
器，可用于驱动各种应用中的 Si 和 SiC MOSFET。  
UCC28C5x-Q1 系列是 UCC28C4x-Q1 的更高效、更  
稳健的版本。  
除持续支持 Si MOSFET 的现有 UVLO 阈值  
(UCC28C50-55-Q1) 外，UCC28C5x-Q1 系列还具有  
可确保 SiC MOSFET 可靠运行的新 UVLO 阈值  
(UCC28C56-59-Q1)。  
• 轨到轨输出：  
VDD 绝对最大额定电压从 20V 增加至 30V，便于以理  
想方式驱动 20Vgs、18Vgs 或15Vgs SiC MOSFET 的  
栅极，同时可无需使用外部LDO。  
– 25ns 上升时间  
– 20ns 下降时间  
• 精度为±1% 的2.5V 误差放大器基准  
• 与UCC28C4x-Q1 引脚对引脚兼容的可直接替代产  
品
器件性能改进  
UCC28C4x-Q1 UCC28C5x-Q1  
参数  
52kHz 时的电源电流  
启动电流（上限值）  
VDD 绝对上限值  
• 提供功能安全  
2.3mA  
100µA  
20V  
1.3mA  
75µA  
– 可帮助进行功能安全系统设计的文档  
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性  
30V  
– 器件温度等级1：-40°C 至125°C  
– 器件HBM 分类等级2：±2kV  
– 器件CDM 分类等级C4B：750 V  
±2%  
±1%  
基准电压精度  
Si FET 的UVLO 和DMAX  
SiC FET 的UVLO 和DMAX  
6 个选项  
none  
6 个选项  
6 个选项  
2 应用  
1. 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订  
购产品附录。  
• 牵引逆变器高压转低压备用电源  
• OBC 和直流/直流转换器隔离式偏置电源  
• HVAC 压缩机高压隔离式电源  
• 交流和直流EV 充电设备中的单端直流转换器  
DCLAMP  
CSNUB  
RSNUB  
DOUT  
V
IN  
VOUT  
NS  
C
IN  
NP  
NA  
RSTART  
COUT  
CSS  
DBIAS  
RVDD  
RSS  
CVDD  
1
2
3
4
COMP  
FB  
VREF  
VDD  
OUT  
GND  
8
7
6
5
RCOMPp  
CCOMPp  
RG  
CS  
RRT  
QSW  
RCS  
RT/CT  
RBLEEDER  
DZ CVDDbp CVREF  
CCT  
CRAMP  
RCSF  
RDIS  
RRAMP  
RFBU  
CCSF  
RFBB  
图3-1. 典型汽车应用  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSEV2  
 
 
 
 
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UCC28C56LQDRQ1 TI

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