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UCC27211ADRMR

更新时间： 2024-11-19 11:10:59
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德州仪器 - TI 栅极驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
28页 1302K
描述
具有 8V UVLO 和负电压处理能力的 4A、120V 半桥栅极驱动器 | DRM | 8 | -40 to 140

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UCC27211ADRMR 数据手册

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UCC27211A  
ZHCSBI9C –AUGUST 2013–REVISED OCTOBER 2015  
UCC27211A 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧和低侧驱动器  
1 特性  
2 应用  
1
•
可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N  
沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)  
•
•
•
•
•
•
•
针对电信，数据通信和商用的电源  
半桥和全桥转换器  
•
•
•
•
最大引导电压 120V 直流  
推挽转换器  
4A 吸收，4A 源输出电流  
高电压同步降压型转换器  
两开关正激式转换器  
有源箝位正激式转换器  
D 类音频放大器  
0.9Ω 上拉和下拉电阻  
输入引脚能够耐受 –10V 至 +20V 的电压，并且与  
电源电压范围无关  
•
晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 或伪 CMOS 兼容输  
入版本  
3 说明  
•
•
8V 至 17V VDD 运行范围（绝对最大值 20V）  
UCC27211A 器件驱动器基于广受欢迎的 UCC27201  
MOSFET 驱动器；但该器件相比之下具有显著的性能  
提升。  
7.2ns 上升时间和 5.5ns 下降时间（采用 1000pF  
负载时）  
•
•
•
•
快速传播延迟时间（典型值 20ns）  
4ns 延迟匹配  
峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至 4A 拉电流和  
4A 灌电流，并且上拉和下拉电阻已经被减小至 0.9Ω，  
因此可以在 MOSFET 的米勒效应平台转换期间用尽可  
能小的开关损耗来驱动大功率 MOSFET。输入结构能  
够直接处理 -10 VDC，这提高了稳健耐用性，并且无  
需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对  
接。此输入与电源电压无关，并且具有 20V 的最大额  
定值。  
用于高侧和低侧驱动器的对称欠压锁定功能  
支持全部行业标准封装  
–
–
–
SOIC-8  
4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-8 封装  
4mm × 4mm 小外形尺寸无引线 (SON)-10 封装  
•
－40℃ 至 +140°C 的额定温度范围  
器件信息(1)  
器件型号  
UCC27211A  
封装  
SOIC (8)  
VSON (8)  
封装尺寸（标称值）  
4.90mm x 3.91mm  
4.00mm x 4.00mm  
(1) 要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。  
典型应用图  
传播延迟与电源电压间的关系  
(T = 25°C)  
+12V  
+100V  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
SECONDARY  
SIDE  
VDD  
CIRCUIT  
HB  
HI  
LI  
DRIVE  
HI  
HO  
HS  
PWM  
CONTROLLER  
LO  
DRIVE  
LO  
UCC27211A  
VSS  
TDLRR  
TDLFF  
8
ISOLATION  
AND  
FEEDBACK  
TDHRR  
TDHFF  
4
0
UDG-13114  
8
12  
16  
20  
Supply Voltage (V)  
1
An IMPORTANT NOTICE at the end of this data sheet addresses availability, warranty, changes, use in safety-critical applications,  
intellectual property matters and other important disclaimers. PRODUCTION DATA.  
English Data Sheet: SLUSBL4  
 
 
 
 
 
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