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UCC21755QDWRQ1

更新时间： 2024-11-08 11:10:55
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动驱动器
页数 文件大小 规格书
51页 2812K
描述
具有主动保护和隔离式感应功能的汽车类 ±10A 隔离式单通道栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

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UCC21755QDWRQ1 数据手册

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UCC21755-Q1  
ZHCSOI0 –SEPTEMBER 2022  
UCC21755-Q1 适用于SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和高CMTI 的  
汽车类10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
1 特性  
• 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器  
• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性：  
度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏  
移，共模噪声抗扰度(CMTI) 大于150V/ns。  
– 器件温度等级0：-40°C 至+150°C 环境工作温  
度范围  
– 器件HBM ESD 分类等级3A  
– 器件CDM ESD 分类等级C6  
• 功能安全质量管理型  
UCC21755-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短  
路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位  
以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT  
开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至PWM 传  
感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱  
动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。  
– 有助于进行功能安全系统设计的文档  
• 高达2121Vpk 的SiC MOSFET 和IGBT  
• 33V 最大输出驱动电压(VDD-VEE)  
• ±10A 驱动强度和分离输出  
• 150V/ns 最小CMTI  
器件信息  
封装(1)  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
UCC21755-Q1  
SOIC-16  
10.3mm × 7.5mm  
• 具有200ns 快速响应时间和5V 阈值的DESAT 保  
护
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
• 4A 内部有源米勒钳位  
• 发生故障时的400mA 软关断  
• 具有PWM 输出的隔离式模拟传感器  
器件引脚配置  
– 采用NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感应  
– 高电压直流链路或相电压  
APWM  
VCC  
RST/EN  
FLT  
AIN  
DESAT  
COM  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
• 过流警报FLT 和通过RST/EN 重置  
• 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应  
• 抑制输入引脚上的<40ns 噪声瞬态和脉冲  
• RDY 上的12V VDD UVLO（具有电源正常指示功  
能）  
• 具有高达5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出  
• 130ns（最大）传播延迟和30ns（最大）脉冲/器件  
间偏移  
14  
13  
12  
11  
10  
9
OUTH  
VDD  
RDY  
INÅ  
OUTL  
CLMPI  
VEE  
IN+  
GND  
• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙> 8mm  
• 工作结温范围：-40°C 至+150°C  
Not to scale  
2 应用  
• 适用于EV 的牵引逆变器  
• 车载充电器和充电桩  
• 用于HEV/EV 的直流/直流转换器  
3 说明  
UCC21755-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计  
用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和  
IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健  
性。UCC21755-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌  
电流。  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSEM9  
 
 
 
 
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