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UCC21750DWR

更新时间: 2024-11-08 11:13:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
53页 2653K
描述
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

UCC21750DWR 数据手册

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UCC21750  
ZHCSKF2C FEBRUARY 2019 REVISED JANUARY 2023  
UCC21750 适用SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和CMTI 10A  
拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
1 特性  
5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器  
• 高2121Vpk SiC MOSFET IGBT  
33V 最大输出驱动电(VDD VEE)  
±10A 驱动强度和分离输出  
150V/ns CMTI  
• 具200ns 快速响应时间DESAT 保护  
4A 内部有源米勒钳位  
隔离层寿命超过 40 并提供较低的器件间偏  
共模噪声抗扰(CMTI) 150V/ns。  
UCC21750 包括先进的保护特性如快速过流和短路  
检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位、  
输入和输出侧电源 UVLO用于优化 SiC IGBT 开  
关行为和稳健性。可以利用隔离式模拟PWM 传感  
器更轻松地感测温度或电压从而进一步提高驱动器的  
多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。  
• 发生故障时400mA 软关断  
• 具PWM 输出的隔离式模拟传感器  
器件信息  
封装(1)  
– 采NTCPTC 或热敏二极管的温度感应  
– 高电压直流链路或相电压  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
UCC21750  
DW SOIC-16  
10.3mm × 7.5mm  
• 过流警FLT 和通RST/EN 重置  
• 针RST/EN 的快速启用和禁用响应  
• 抑制输入引脚上<40ns 噪声瞬态和脉冲  
RDY 12V VDD UVLO具有电源正常指示功  
)  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
器件引脚配置  
• 具有高5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出  
130 ns最大传播延迟30 ns最大脉冲/器  
件间偏移  
SOIC-16 DW 封装爬电距离和间> 8mm  
• 工作结温范围-40°C +150°C  
• 安全相关认证:  
APWM  
VCC  
RST/EN  
FLT  
AIN  
DESAT  
COM  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
OUTH  
VDD  
– 符DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标  
准的增强型绝缘  
UL 1577 组件认证计划  
RDY  
INÅ  
OUTL  
CLMPI  
VEE  
2 应用  
IN+  
GND  
• 工业电机驱动  
• 服务器、电信和工业电源  
• 不间断电(UPS)  
• 光伏逆变器  
Not to scale  
3 说明  
UCC21750 是一款电隔离单通道栅极驱动器设计用  
于直流工作电压高达 2121V SiC MOSFET 和  
IGBT具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健  
性。UCC21750 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电  
流。  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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English Data Sheet: SLUSD78  
 
 
 
 
 
 

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