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UCC21750-Q1

更新时间: 2024-09-19 11:13:03
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德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
53页 2657K
描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 5.7kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21750-Q1 数据手册

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UCC21750-Q1  
ZHCSKA3C SEPTEMBER 2019 REVISED JANUARY 2023  
UCC21750-Q1 适用SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟感应和CMTI 的  
10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
1 特性  
5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器  
• 符合面向汽车应用AEC-Q100 标准  
隔离层寿命超过 40 并提供较低的器件间偏  
共模噪声抗扰(CMTI) 150V/ns。  
– 器件温度等0-40°C +150°C 环境工作温  
度范围  
UCC21750-Q1 包括先进的保护特性如快速过流和短  
路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳  
位、输入和输出侧电源 UVLO用于优化 SiC IGBT  
开关行为和稳健性。可以利用隔离式模拟PWM 传  
感器更轻松地感测温度或电压从而进一步提高驱动器  
的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。  
– 器HBM ESD 分类等3A  
– 器CDM ESD 分类等C6  
• 高2121Vpk SiC MOSFET IGBT  
33V 最大输出驱动电(VDD VEE)  
±10A 驱动强度和分离输出  
器件信息  
封装(1)  
150V/ns CMTI  
• 具200ns 快速响应时间DESAT 保护  
4A 内部有源米勒钳位  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
UCC21750-Q1  
DW SOIC-16  
10.3mm × 7.5mm  
• 发生故障时400mA 软关断  
• 具PWM 输出的隔离式模拟传感器  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
– 采NTCPTC 或热敏二极管的温度感应  
– 高电压直流链路或相电压  
器件引脚配置  
• 过流警FLT 和通RST/EN 重置  
• 针RST/EN 的快速启用和禁用响应  
• 抑制输入引脚上<40ns 噪声瞬态和脉冲  
RDY 12V VDD UVLO具有电源正常指示功  
)  
• 具有高5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出  
130 ns最大传播延迟30 ns最大脉冲/器  
件间偏移  
APWM  
VCC  
RST/EN  
FLT  
AIN  
DESAT  
COM  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
OUTH  
VDD  
RDY  
INÅ  
SOIC-16 DW 封装爬电距离和间> 8mm  
• 工作结温范围-40°C +150°C  
• 安全相关认证:  
OUTL  
CLMPI  
VEE  
IN+  
GND  
– 符DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标  
准的增强型绝缘  
UL 1577 组件认证计划  
Not to scale  
2 应用  
• 适用EV 的牵引逆变器  
• 车载充电器和充电桩  
• 用HEV/EV 的直流/直流转换器  
3 说明  
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器设计  
用于直流工作电压高达 2121V SiC MOSFET 和  
IGBT具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健  
性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌  
电流。  
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English Data Sheet: SLUSDH9  
 
 
 
 
 
 

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