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UCC21737QDWRQ1

更新时间： 2024-11-08 11:11:31

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
54页	2625K
描述
适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 \| DW \| 16 \| -40 to 125

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UCC21737QDWRQ1 数据手册

UCC21737-Q1

ZHCSOE5B –MARCH 2022 –REVISED JANUARY 2023

UCC21737-Q1 适用于SiC/IGBT 并具有主动保护和高CMTI 的10A 拉电流和灌电

流增强型隔离式汽车单通道栅极驱动器

输入侧通过 SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持

高达 1.5kV_RMS的工作电压、12.8kV_PK的浪涌抗扰

1 特性

• 5.7kV _RMS单通道隔离式栅极驱动器

• 具有符合AEC-Q100 标准的下列特性：

度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏

移，共模噪声抗扰度(CMTI) 大于150V/ns。

– 器件温度等级0：-40°C 至+150°C 环境工作温

度范围

– 器件HBM ESD 分类等级3A

– 器件CDM ESD 分类等级C6

• 功能安全质量管理型

UCC21737-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短

路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳

位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT

开关行为）和稳健性。可以利用 ASC 功能在系统故障

事件期间强制打开电源开关，从而进一步提高驱动器的

多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

– 可提供用于功能安全系统设计的文档

• 高达2121V_pk的SiC MOSFET 和IGBT

• 33V 最大输出驱动电压(VDD-VEE)

• ±10A 驱动强度和分离输出

器件信息

器件型号⁽¹⁾

封装尺寸（标称值）

封装

UCC21737-Q1

DW SOIC-16

10.3mm × 7.5mm

• 150V/ns 最小CMTI

• 具有270 ns 快速响应时间的过流保护

• 外部有源米勒钳位

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

• 发生故障时的900mA 软关断

• 隔离侧的ASC 输入，用于在系统故障期间打开电源

开关

器件引脚配置

• 过流警报FLT 和通过RST/EN 重置

• 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应

• 抑制输入引脚上的<40ns 噪声瞬态和脉冲

• RDY 上的12V VDD UVLO 和-3V VEE UVLO（具

有电源正常指示功能）

• 具有高达5V 过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出

• 130 ns（最大）传播延迟和30 ns（最大）脉冲/器

件间偏移

• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙> 8mm

• 工作结温范围：-40°C 至+150°C

2 应用

• 适用于EV 的牵引逆变器

• 车载充电器和充电桩

• 用于HEV/EV 的直流/直流转换器

3 说明

UCC21737-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计

用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和

IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健

性。该器件具有高达±10A 的峰值拉电流和灌电流。

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSEM3

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UCC21738-Q1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
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