Datasheet > UCC21736QDWQ1

UCC21736QDWQ1

更新时间： 2024-09-19 11:14:15

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅极驱动双极性晶体管光电二极管接口集成电路驱动器
页数	文件大小	规格书
59页	2395K
描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 \| DW \| 16 \| -40 to 125

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UCC21736QDWQ1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SOP, SOP16,.4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.77
高边驱动器：	YES	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G16	JESD-609代码：	e4
长度：	10.3 mm	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	16
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称输出峰值电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP16,.4
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	2.65 mm
最大供电电压：	5.5 V	最小供电电压：	3 V
标称供电电压：	3.3 V	电源电压1-最大：	33 V
电源电压1-分钟：	13 V	电源电压1-Nom：	15 V
表面贴装：	YES	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.5 mm	Base Number Matches：	1

UCC21736QDWQ1 数据手册

Support &

Community

Product

Folder

Order

Now

Tools &

Software

Technical

Documents

UCC21736-Q1

ZHCSKC0 –OCTOBER 2019

适用于 SiC/IGBT 并具有主动保护和高 CMTI 的 UCC21736-Q1 10A 拉电

流和灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器

1 特性

输入侧通过 SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持

高达 1.5kV_RMS的工作电压、12.8kV_PK的浪涌抗扰

度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏

移、大于 150V/ns 的共模噪声抗扰度 (CMTI)。

•

5.7kV _RMS单通道隔离式栅极驱动器

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准

高达 2121V_pk的 SiC MOSFET 和 IGBT

33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)

±10A 驱动强度和分离输出

UCC21736-Q1 具有高级保护功能功能，如快速过流

和短路检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒

钳位、输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和

IGBT 开关行为）和稳健性。可以利用 ASC 功能在系

统故障事件期间强制打开电源开关，从而进一步提高驱

动器的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。

150V/ns 最小 CMTI

具有 200ns 快速响应时间的过流保护

外部有源米勒钳位

发生故障时的 900mA 软关断

隔离侧的 ASC 输入，用于在系统故障期间打开电

源开关

器件信息⁽¹⁾

器件型号

封装

封装尺寸（标称值）

•

过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置

针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应

抑制输入引脚上的 <40ns 噪声瞬态和脉冲

UCC21736-Q1

DW SOIC-16

10.3mm × 7.5mm

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

RDY 上的 12V VDD UVLO 和 3V VEE UVLO（具

有电源正常指示功能）

器件引脚配置

•

具有高达 5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输

出

VCC 15

MOD

DEMOD

VDD

COM

VEE

VCC

Supply

130ns（最大）传播延迟和 30ns（最大）脉冲/器件

间偏移

VDD

Supply

GND

•

SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙 > 8mm

工作结温范围：-40°C 至 +150°C

IN+ 10

INÅ 11

PWM

Inputs

CLMPE

OUTH

OUTL

2 应用

Output

Stage

ON/OFF

Control

Second -

ary Logic

Primary

Logic

•

适用于 EV 的牵引逆变器

RDY 12

车载充电器和充电桩

FLT 13

用于 HEV/EV 的直流/直流转换器

RST/EN 14

APWM 16

OCP

3 说明

ASC

Control

UCC21736-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，用于

具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和

IGBT，具有高级保护功能功能、出色的动态性能和稳

健性。UCC21736-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和

灌电流。

ASC

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSDM7

12 3 4 5 6 7...59

中文翻译

下载PDF

与UCC21736QDWQ1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UCC21736QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A
UCC21737-Q1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
UCC21737QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 \|
UCC21738-Q1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
UCC21738QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 \|
UCC21739-Q1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10
UCC21739QDWQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10
UCC21739QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10
UCC21750	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms
UCC21750DW	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC FET 且具有 DESAT 和内部米勒钳位的 5.7kVrms

与UCC21736QDWQ1相关文章

摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
2024-09-18

23
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
2024-09-18

21
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

96
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

87

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UCC21736QDWQ1

UCC21736QDWQ1 技术参数

UCC21736QDWQ1 数据手册

与UCC21736QDWQ1相关器件

与UCC21736QDWQ1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UCC21736QDWQ1

UCC21736QDWQ1 技术参数

UCC21736QDWQ1 数据手册

与UCC21736QDWQ1相关器件

与UCC21736QDWQ1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？