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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOP, |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 6 weeks |
| 风险等级： | 1.72 | 高边驱动器： | YES |
| 接口集成电路类型： | BUFFER OR INVERTER BASED IGBT DRIVER | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e4 | 长度： | 10.3 mm |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 10 A |
| 标称输出峰值电流： | 10 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 筛选级别： | AEC-Q100 |
| 座面最大高度： | 2.65 mm | 最大供电电压： | 5.5 V |
| 最小供电电压： | 3 V | 标称供电电压： | 3.3 V |
| 电源电压1-最大： | 33 V | 电源电压1-分钟： | 13 V |
| 电源电压1-Nom： | 15 V | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | AUTOMOTIVE | 端子面层： | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 断开时间： | 0.13 µs |
| 接通时间： | 0.13 µs | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UCC21736-Q1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A |
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| UCC21736QDWQ1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A |
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| UCC21736QDWRQ1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A |
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| UCC21737-Q1 | TI |
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适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 |
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| UCC21737QDWRQ1 | TI |
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适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 | |
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| UCC21738-Q1 | TI |
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适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 |
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| UCC21738QDWRQ1 | TI |
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适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 | |
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| UCC21739-Q1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10 |
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| UCC21739QDWQ1 | TI |
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适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10 |
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| UCC21739QDWRQ1 | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10 |
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