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UCC21732QDWQ1

更新时间： 2024-11-08 11:09:55

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
11页	1035K
描述
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 \| DW \| 16 \| -40 to 125

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UCC21732-Q1

ZHCSIZ4 –OCTOBER 2018

适用于 SiC/IGBT 且具有高级保护功能和高 CMTI 的 UCC21732-Q1 单通

道

隔离式栅极驱动器

1 特性

2 应用

•

单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器

•

适用于 EV 的牵引逆变器

符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用（计划的认

证）

车载充电器和直流充电站

工业电机驱动器

•

高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT

33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)

高峰值驱动电流和高 CMTI

服务器、电信和工业电源

不间断电源 (UPS)

3 说明

有源米勒钳位

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设

计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先

进的保护功能、一流的动态性能和稳健性。

RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）

小传播延迟和脉冲/器件间偏移

工作温度范围为 –40°C 至 125°C

安全相关认证（计划）：

输入侧通过 SiO₂电容隔离技术与输出侧相隔离，支持

高达 1.5kV_RMS的工作电压、12.8kV_PK的浪涌抗扰

度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移

和高 CMTI。

–

符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-

11):2017-01 标准的 8000V_PKV_IOTM和 2121V_PK

V_IORM增强型隔离

–

符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700V_RMS

隔离

本文档旨在为方便起见，提供有关 TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问 www.ti.com，其内容始终优先。 TI 不保证翻译的准确

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English Data Sheet: SLUSDJ1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UCC21732QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10
UCC21736-Q1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A
UCC21736QDWQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A
UCC21736QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A
UCC21737-Q1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
UCC21737QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有主动短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 \|
UCC21738-Q1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器
UCC21738QDWRQ1	TI	获取价格	适用于 SiC/IGBT、具有有源短路保护功能的汽车类 10A 隔离式单通道栅极驱动器 \|
UCC21739-Q1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10
UCC21739QDWQ1	TI	获取价格	适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有隔离式模拟检测的汽车类 3kVrms ±10

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