5秒后页面跳转
UCC21710QDWRQ1 PDF预览

UCC21710QDWRQ1

更新时间: 2024-09-19 11:15:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
62页 2875K
描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

UCC21710QDWRQ1 数据手册

 浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UCC21710QDWRQ1的Datasheet PDF文件第7页 
UCC21710-Q1  
ZHCSJR4C JANUARY 2019 REVISED MAY 2023  
UCC21710-Q1 适用SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟检测和  
CMTI 10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
1 特性  
5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器  
• 符合面向汽车应用AEC-Q100 标准  
隔离栅寿命超过 40 并提供较低的器件间偏  
共模噪声抗扰(CMTI) 150V/ns。  
– 器件温度等0-40°C +150°C 环境工作温  
度范围  
UCC21710-Q1 具有高级保护功能如快速过流和短路  
检测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以  
及输入和输出侧电源 UVLO用于优化 SiC IGBT  
开关行为和稳健性。可以使用隔离式模拟PWM 传  
感器更轻松地检测温度或电压从而进一步提高驱动器  
的多功能性并消减系统设计工作量、尺寸和成本。  
– 器HBM ESD 分类等3A  
– 器CDM ESD 分类等C6  
• 高2121Vpk SiC MOSFET IGBT  
33V 最大输出驱动电(VDD-VEE)  
±10A 驱动强度和分离输出  
器件信息  
封装(1)  
150V/ns CMTI  
• 具270ns 快速响应时间的过流保护  
4A 内部有源米勒钳位  
封装尺寸标称值)  
器件型号  
UCC21710-Q1  
DW SOIC-16  
10.3mm × 7.5mm  
• 发生故障时400mA 软关断  
• 具PWM 输出的隔离式模拟传感器  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
– 采NTCPTC 或热敏二极管的温度感应  
– 高电压直流链路或相电压  
APWM  
VCC  
RST/EN  
FLT  
AIN  
OC  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
• 过流警FLT 和通RST/EN 重置  
• 针RST/EN 的快速启用/禁用响应  
• 抑制输入引脚上<40ns 噪声瞬态和脉冲  
RDY 12V VDD UVLO具有电源正常指示功  
)  
COM  
OUTH  
VDD  
14  
13  
12  
11  
10  
9
• 具有高5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输  
RDY  
INÅ  
130ns最大传播延迟30ns最大脉冲/器件  
间偏移  
SOIC-16 DW 封装爬电距离和间> 8mm  
• 工作结温范围-40°C +150°C  
• 安全相关认证:  
OUTL  
CLMPI  
VEE  
IN+  
GND  
Not to scale  
– 符DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标  
准的增强型绝缘  
器件引脚配置  
UL 1577 组件认证计划  
2 应用  
• 适用EV 的牵引逆变器  
• 车载充电器和充电桩  
• 用HEV/EV 的直流/直流转换器  
3 说明  
UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器设计  
用于高达 1700V SiC MOSFET IGBT具有先进  
的保护功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21710-  
Q1 具有高±10A 的峰值拉电流和灌电流。  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSDH8  
 
 
 
 
 
 

与UCC21710QDWRQ1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UCC21717-Q1 TI

获取价格

适用于 SiC/IGBT 且具有有源保护功能的汽车类 10A 拉电流/灌电流单通道隔离式栅
UCC21717QDWRQ1 TI

获取价格

适用于 SiC/IGBT 且具有有源保护功能的汽车类 10A 拉电流/灌电流单通道隔离式栅
UCC21732 TI

获取价格

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with
UCC21732DW TI

获取价格

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with
UCC21732DWR TI

获取价格

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with
UCC21732-Q1 TI

获取价格

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10
UCC21732-Q1_V01 TI

获取价格

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with
UCC21732QDWQ1 TI

获取价格

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10
UCC21732QDWRQ1 TI

获取价格

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10
UCC21736-Q1 TI

获取价格

适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有主动短路的汽车类 5.7kVrms ±10A