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UCC21710DWR

更新时间： 2024-09-19 11:11:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
55页 2713K
描述
适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 125

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UCC21710  
ZHCSMQ3B –AUGUST 2020 –REVISED MAY 2023  
UCC21710 适用于SiC/IGBT 并具有主动保护、隔离式模拟检测和  
高CMTI 的10A 拉电流/灌电流增强型隔离式单通道栅极驱动器  
1 特性  
3 说明  
• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器  
• 驱动高达2121Vpk 的SiC MOSFET 和IGBT  
• 33V 最大输出驱动电压(VDD-VEE)  
• ±10A 驱动强度和分离输出  
UCC21710 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用  
于驱动高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT。它具有  
先进的集成保护特性、出色的动态性能和稳健性。  
UCC21710 具有高达±10A 的峰值拉电流和灌电流。  
• 150V/ns 最小CMTI  
• 4A 内部有源米勒钳位  
• 故障状况下400 mA 软关断  
• 具有PWM 输出的隔离式模拟传感器  
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持  
高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰  
度，隔离栅寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏  
斜，共模噪声抗扰度(CMTI) 大于150V/ns。  
– 采用NTC、PTC 或热敏二极管的温度感应  
– 高电压直流链路或相电压  
UCC21710 具有高级保护功能，如快速过流和短路检  
测、分流电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及  
输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开  
关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至PWM 传感  
器更轻松地进行温度或电压感测，从而进一步提高驱动  
器的多功能性并简化系统设计工作量、尺寸和成本。  
• 过流警报FLT 和通过RST/EN 重置  
• 针对RST/EN 的快速启用/禁用响应  
• 抑制输入引脚上的<40 ns 噪声瞬态和脉冲  
• RDY 上的12V VDD UVLO（具有电源正常指示功  
能）  
• 具有高达5V 的过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输  
器件信息  
封装(1)  
出
• 130ns（最大）传播延迟和30ns（最大）脉冲/器件  
间偏移  
封装尺寸（标称值）  
器件型号  
UCC21710  
DW SOIC-16  
10.3mm × 7.5mm  
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
• SOIC-16 DW 封装，爬电距离和间隙> 8mm  
• 工作结温范围：-40°C 至+150°C  
• 安全相关认证：  
– 符合DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 标  
准的增强型绝缘  
– UL 1577 组件认证计划  
APWM  
VCC  
RST/EN  
FLT  
AIN  
OC  
1
2
3
4
5
6
7
8
16  
15  
COM  
OUTH  
VDD  
14  
13  
12  
11  
10  
9
2 应用  
• 工业电机驱动  
RDY  
INÅ  
• 服务器、电信和工业电源  
• 不间断电源(UPS)  
• 光伏逆变器  
OUTL  
CLMPI  
VEE  
IN+  
• 可再生能源存储转换器  
GND  
Not to scale  
器件引脚配置  
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问  
www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSD43  
 
 
 
 
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