是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
Factory Lead Time: | 1 week | 风险等级: | 1.63 |
高边驱动器: | YES | 接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 | JESD-609代码: | e4 |
长度: | 10.3 mm | 湿度敏感等级: | 2 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 16 |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
最大输出电流: | 6 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 座面最大高度: | 2.65 mm |
最大供电电压: | 18 V | 最小供电电压: | 3 V |
标称供电电压: | 3.3 V | 电源电压1-最大: | 25 V |
电源电压1-分钟: | 14.7 V | 电源电压1-Nom: | 15 V |
表面贴装: | YES | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
断开时间: | 0.03 µs | 接通时间: | 0.03 µs |
宽度: | 7.5 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
UCC21521CDWR | TI |
完全替代 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UCC21521CDWR | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
|
UCC21521DW | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
|
UCC21521DWR | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
|
UCC21530 | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5. | |
UCC21530B-Q1 | TI |
获取价格 |
UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530BQDWKQ1 | TI |
获取价格 |
UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530BQDWKRQ1 | TI |
获取价格 |
UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530DWK | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 |
|
UCC21530DWKR | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 |
|
UCC21530-Q1 | TI |
获取价格 |
具有用于 IGBT/SiC 的 EN 和 DT 引脚的汽车类 4A/6A、5.7kVRMS |