是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SOP, |
Reach Compliance Code: | compliant | Factory Lead Time: | 12 weeks |
风险等级: | 5.68 | 高边驱动器: | YES |
接口集成电路类型: | HALF BRIDGE BASED IGBT/MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-PDSO-G16 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 10.3 mm |
湿度敏感等级: | 2 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 16 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 6 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
座面最大高度: | 2.65 mm | 最大供电电压: | 18 V |
最小供电电压: | 3 V | 标称供电电压: | 3.3 V |
电源电压1-最大: | 25 V | 电源电压1-分钟: | 6.5 V |
电源电压1-Nom: | 12 V | 表面贴装: | YES |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 断开时间: | 0.03 µs |
接通时间: | 0.03 µs | 宽度: | 7.5 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
UCC21521ADW | TI |
完全替代 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UCC21521CDW | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
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UCC21521CDWR | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
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UCC21521DW | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
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UCC21521DWR | TI |
获取价格 |
具有双输入、使能引脚、8V UVLO 且采用 LGA 封装的 5.7kVrms、4A |
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UCC21530 | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 5. | |
UCC21530B-Q1 | TI |
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UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530BQDWKQ1 | TI |
获取价格 |
UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530BQDWKRQ1 | TI |
获取价格 |
UCC21530-Q1 4-A, 6-A, 5.7-kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver with 3.3-mm Channel-to-C | |
UCC21530DWK | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 |
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UCC21530DWKR | TI |
获取价格 |
适用于 IGBT/SiC FET 且具有 EN 和 DT 引脚、采用 DWK 封装的 |