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UCC21222-Q1
ZHCSHQ7 –FEBRUARY 2018
UCC21222-Q1 汽车 4A、6A、3.0kVRMS 隔离式双通道栅极驱动器
(具有死区时间)
1 特性
3 说明
1
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具有符合 AEC Q100 标准的下列特性:
UCC21222-Q1 器件是具有可编程死区时间和宽温度范
围的隔离式双通道栅极驱动器。该器件在极端温度条件
下表现出一致的性能和稳定性。该器件采用 4A 峰值拉
电流和 6A 峰值灌电流来驱动功率 MOSFET、IGBT 和
GaN 晶体管。
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器件温度 1 级
器件人体放电模式 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类
等级 H2
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器件 CDM ESD 分类等级 C6
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结温范围为 –40°C 至 150°C
UCC21222-Q1 器件可配置为两个低侧驱动器、两个高
侧驱动器或一个半桥驱动器。该器件的 5ns 延迟匹配
性能允许并联两个输出,能够在重负载条件下将驱动强
度提高一倍,而无内部击穿风险。
可通过电阻器编程的死区时间
通用:双路低侧、双路高侧或半桥驱动器
4A 峰值拉电流、6A 峰值灌电流输出
3V 至 5.5V 输入 VCCI 范围
输入侧通过一个 3.0kVRMS 隔离栅与两个输出驱动器隔
离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100V/ns。
高达 18V 的 VDD 输出驱动电源
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8V VDD UVLO
•
开关参数:
可通过电阻器编程的死区时间可让您调整系统限制的死
区时间,从而提高效率并防止输出重叠。其他保护 特
性 包括:当 DIS 设置为高电平时,通过禁用功能同时
关闭两路输出;集成的抗尖峰滤波器可抑制短于 5ns
的输入瞬变;以及在输入和输出引脚上对高达 -2V 的
尖峰进行 200ns 的负电压处理。所有电源都有 UVLO
保护。
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28ns 典型传播延迟
10ns 最小脉冲宽度
5ns 最大延迟匹配度
5.5ns 最大脉宽失真
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TTL 和 CMOS 兼容输入
集成抗尖峰滤波器
I/O 承受 –2V 电压的时间达 200ns
共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于 100V/ns
隔离栅寿命大于 40 年
器件信息(1)
器件型号
封装
封装尺寸(标称值)
UCC21222-Q1
SOIC (16)
9.9mm × 3.91mm
浪涌抗扰度高达 7800VPK
窄体 SOIC-16 (D) 封装
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
安全相关认证(计划):
功能方框图
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符合 DIN V VDE V 0884-11:2017-01 和 DIN
EN 61010-1 标准的 4242VPK 隔离
VCCI 3,8
16 VDDA
符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 3000VRMS
隔离
Driver
DEMOD UVLO
MOD
15 OUTA
14 VSSA
INA
DIS
DT
1
5
6
7
获得 CSA 认证,符合 IEC 60950-1、IEC
62368-1 和 IEC 61010-1 终端设备标准
Input
Logic,
Disable,
UVLO,
Dead
通过 GB4943.1-2011 CQC 认证
13 NC
12 NC
Functional Isolation
2 应用
Time
NC
11 VDDB
10 OUTB
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•
•
HEV 和 EV 电池充电器
Driver
INB
2
4
MOD
DEMOD UVLO
交流/直流和直流/直流电源中的隔离转换器
电机驱动器和逆变器
GND
9
VSSB
Copyright © 2018, Texas Instruments Incorporated
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English Data Sheet: SLUSDA5