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UC1825BHKT/EM

更新时间: 2024-11-13 11:10:07
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德州仪器 - TI 控制器
页数 文件大小 规格书
34页 1374K
描述
耐辐射 QMLV、30V 输入、2A 双输出 1MHz PWM 控制器 | HKT | 16 | 25 to 25

UC1825BHKT/EM 数据手册

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UC1825B-SP  
ZHCSJJ9A APRIL 2019 REVISED DECEMBER 2020  
UC1825B-SP V 类耐辐射高PWM 控制器  
1 特性  
3 说明  
• 符QML-V 标准SMD 5962-8768106  
5962R8768106VYC:  
– 耐辐射加固保(RHA) 能力高100krad(Si) 总  
电离剂(TID) 1  
• 与电压或电流模式拓扑兼容  
• 实际工作开关频率高1MHz  
50ns 传播延迟到输出  
• 大电流双图腾柱输出2A 峰值)  
• 宽带宽误差放大器  
• 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑  
• 逐脉冲电流限制  
• 软启动/最大占空比控制  
• 带有迟滞功能的欠压锁定  
• 低启动电(1.1mA)  
UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应  
用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换  
率的同时大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟  
给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压  
模式系统此系统具有输出电压前馈功能。  
保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、  
一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚此引脚可  
对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供  
无抖动运行并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有  
800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压  
闭锁期间输出为高阻抗。  
这个器件特有推挽式输出此输出被设计用来拉、灌来  
自电容负载诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶  
体管 (MOSFET) 的栅极的高峰值电流。导通状态设  
计为高电平。  
2 应用  
• 耐辐射直流/直流转换器  
• 卫星总线和有效载荷  
通信负载  
光学成像有效载荷  
雷达成像有效载荷  
• 太空运载火箭  
器件信息  
等级(2)  
器件型号(1)  
封装  
CFP (16)  
飞行等QMLV-  
RHA 100krad(Si)  
5962R8768106VYC  
UC1825BHKT/EM  
10.16mm x 7.10mm  
工程样片(3)  
飞行等QMLV-  
RHA KGD  
100krad(Si)  
• 支持多种拓扑结构:  
– 反激、正激、降压、升压  
5962R8768106V9A  
裸片  
– 推挽、半桥、全桥采用外部接口电路时)  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
CLOCK  
R
4
5
T
(2) 有关器件等级的其他信息请查SLYB235。  
(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工  
处理。这些器件不适用于鉴定、生产、辐射测试或飞行用途。  
这些零器件无法55°C 125°C 的完MIL 额定温度范围  
内或运行寿命中保证其性能。  
OSC  
PWM Latch  
(Set Dom.)  
C
6
T
1.25 V  
R
RAMP  
7
S
E/A Out  
3
Wide Bandwidth  
Error Amp.  
V
IN  
2
1
NI  
+
Error  
Amp  
INV  
Inhibit  
9 µA  
Toggler F/F  
T
Vc  
13  
11  
Out A  
Soft Start  
8
9
I
LIM  
CPRTR  
14 Out B  
12  
1 V  
Shutdown  
CPRTR  
Pwr GND  
I
/ SD  
LIM  
1.4 V  
Output  
Inhibit  
V
15  
CC  
Internal  
Bias  
9 V  
UVLO  
4 V  
V
Good  
REF  
GND 10  
REF  
Gen  
V
REF  
Gate  
16  
V
Good  
CC  
VDG−92032−2  
方框图  
1
辐射耐受性是基于初始器件认证剂量= 10mrad(Si)/s获得的典型值。提供辐射批次验收测- 详细信息请联系厂家。  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
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English Data Sheet: SLUSDD5  
 
 
 
 
 
 
 

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