5秒后页面跳转
UC1825B-SP PDF预览

UC1825B-SP

更新时间: 2024-11-05 11:10:07
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 控制器
页数 文件大小 规格书
34页 1374K
描述
耐辐射 QMLV、30V 输入、2A 双输出 1MHz PWM 控制器

UC1825B-SP 数据手册

 浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UC1825B-SP的Datasheet PDF文件第7页 
UC1825B-SP  
ZHCSJJ9A APRIL 2019 REVISED DECEMBER 2020  
UC1825B-SP V 类耐辐射高PWM 控制器  
1 特性  
3 说明  
• 符QML-V 标准SMD 5962-8768106  
5962R8768106VYC:  
– 耐辐射加固保(RHA) 能力高100krad(Si) 总  
电离剂(TID) 1  
• 与电压或电流模式拓扑兼容  
• 实际工作开关频率高1MHz  
50ns 传播延迟到输出  
• 大电流双图腾柱输出2A 峰值)  
• 宽带宽误差放大器  
• 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑  
• 逐脉冲电流限制  
• 软启动/最大占空比控制  
• 带有迟滞功能的欠压锁定  
• 低启动电(1.1mA)  
UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应  
用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换  
率的同时大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟  
给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压  
模式系统此系统具有输出电压前馈功能。  
保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、  
一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚此引脚可  
对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供  
无抖动运行并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有  
800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压  
闭锁期间输出为高阻抗。  
这个器件特有推挽式输出此输出被设计用来拉、灌来  
自电容负载诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶  
体管 (MOSFET) 的栅极的高峰值电流。导通状态设  
计为高电平。  
2 应用  
• 耐辐射直流/直流转换器  
• 卫星总线和有效载荷  
通信负载  
光学成像有效载荷  
雷达成像有效载荷  
• 太空运载火箭  
器件信息  
等级(2)  
器件型号(1)  
封装  
CFP (16)  
飞行等QMLV-  
RHA 100krad(Si)  
5962R8768106VYC  
UC1825BHKT/EM  
10.16mm x 7.10mm  
工程样片(3)  
飞行等QMLV-  
RHA KGD  
100krad(Si)  
• 支持多种拓扑结构:  
– 反激、正激、降压、升压  
5962R8768106V9A  
裸片  
– 推挽、半桥、全桥采用外部接口电路时)  
(1) 如需了解所有可用封装请参阅数据表末尾的可订购产品附  
录。  
CLOCK  
R
4
5
T
(2) 有关器件等级的其他信息请查SLYB235。  
(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工  
处理。这些器件不适用于鉴定、生产、辐射测试或飞行用途。  
这些零器件无法55°C 125°C 的完MIL 额定温度范围  
内或运行寿命中保证其性能。  
OSC  
PWM Latch  
(Set Dom.)  
C
6
T
1.25 V  
R
RAMP  
7
S
E/A Out  
3
Wide Bandwidth  
Error Amp.  
V
IN  
2
1
NI  
+
Error  
Amp  
INV  
Inhibit  
9 µA  
Toggler F/F  
T
Vc  
13  
11  
Out A  
Soft Start  
8
9
I
LIM  
CPRTR  
14 Out B  
12  
1 V  
Shutdown  
CPRTR  
Pwr GND  
I
/ SD  
LIM  
1.4 V  
Output  
Inhibit  
V
15  
CC  
Internal  
Bias  
9 V  
UVLO  
4 V  
V
Good  
REF  
GND 10  
REF  
Gen  
V
REF  
Gate  
16  
V
Good  
CC  
VDG−92032−2  
方框图  
1
辐射耐受性是基于初始器件认证剂量= 10mrad(Si)/s获得的典型值。提供辐射批次验收测- 详细信息请联系厂家。  
本文档旨在为方便起见提供有TI 产品中文版本的信息以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息请访问  
www.ti.com其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前请务必参考最新版本的英文版本。  
English Data Sheet: SLUSDD5  
 
 
 
 
 
 
 

与UC1825B-SP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UC1825-DIE TI

获取价格

RAD-TOLERANT, HIGH-SPEED PWM CONTROLLER
UC1825-DIE_15 TI

获取价格

RAD-TOLERANT, HIGH-SPEED PWM CONTROLLER
UC1825DW ETC

获取价格

Analog IC
UC1825DWTR ETC

获取价格

Analog IC
UC1825J TI

获取价格

High Speed PWM Controller
UC1825J883B TI

获取价格

High Speed PWM Controller
UC1825JQMLV TI

获取价格

High Speed PWM Controller
UC1825L TI

获取价格

High Speed PWM Controller
UC1825L883B TI

获取价格

High Speed PWM Controller
UC1825LQMLV TI

获取价格

High Speed PWM Controller