UC1825B-SP
ZHCSJJ9A –APRIL 2019 –REVISED DECEMBER 2020
UC1825B-SP V 类耐辐射高速PWM 控制器
1 特性
3 说明
• 符合QML-V 标准,SMD 5962-8768106
• 5962R8768106VYC:
– 耐辐射加固保障(RHA) 能力高达100krad(Si) 总
电离剂量(TID) 1
• 与电压或电流模式拓扑兼容
• 实际工作开关频率高达1MHz
• 50ns 传播延迟到输出
• 大电流双图腾柱输出(2A 峰值)
• 宽带宽误差放大器
• 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑
• 逐脉冲电流限制
• 软启动/最大占空比控制
• 带有迟滞功能的欠压锁定
• 低启动电流(1.1mA)
UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应
用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换
率的同时,大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟
给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压
模式系统,此系统具有输出电压前馈功能。
保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、
一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚,此引脚可
对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供
无抖动运行,并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有
800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压
闭锁期间,输出为高阻抗。
这个器件特有推挽式输出,此输出被设计用来拉、灌来
自电容负载(诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶
体管 (MOSFET) 的栅极)的高峰值电流。导通状态设
计为高电平。
2 应用
• 耐辐射直流/直流转换器
• 卫星总线和有效载荷
• 通信负载
• 光学成像有效载荷
• 雷达成像有效载荷
• 太空运载火箭
器件信息
等级(2)
器件型号(1)
封装
CFP (16)
飞行等级QMLV-
RHA 100krad(Si)
5962R8768106VYC
UC1825BHKT/EM
10.16mm x 7.10mm
工程样片(3)
飞行等级QMLV-
RHA KGD
100krad(Si)
• 支持多种拓扑结构:
– 反激、正激、降压、升压
5962R8768106V9A
裸片
– 推挽、半桥、全桥(采用外部接口电路时)
(1) 如需了解所有可用封装,请参阅数据表末尾的可订购产品附
录。
CLOCK
R
4
5
T
(2) 有关器件等级的其他信息,请查看SLYB235。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工
处理。这些器件不适用于鉴定、生产、辐射测试或飞行用途。
这些零器件无法在–55°C 至125°C 的完整MIL 额定温度范围
内或运行寿命中保证其性能。
OSC
PWM Latch
(Set Dom.)
C
6
T
1.25 V
R
RAMP
7
S
E/A Out
3
Wide Bandwidth
Error Amp.
V
IN
2
1
NI
+
−
Error
Amp
INV
Inhibit
9 µA
Toggler F/F
T
Vc
13
11
Out A
Soft Start
8
9
I
LIM
CPRTR
14 Out B
12
1 V
Shutdown
CPRTR
Pwr GND
I
/ SD
LIM
1.4 V
Output
Inhibit
V
15
CC
Internal
Bias
9 V
UVLO
4 V
V
Good
REF
GND 10
REF
Gen
V
REF
Gate
16
V
Good
CC
VDG−92032−2
方框图
1
辐射耐受性是基于初始器件认证(剂量率= 10mrad(Si)/s)获得的典型值。提供辐射批次验收测试- 详细信息请联系厂家。
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