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UC1825B-SP

更新时间： 2024-09-25 11:10:07

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德州仪器 - TI		控制器
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34页	1374K
描述
耐辐射 QMLV、30V 输入、2A 双输出 1MHz PWM 控制器

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UC1825B-SP 数据手册

UC1825B-SP

ZHCSJJ9A –APRIL 2019 –REVISED DECEMBER 2020

UC1825B-SP V 类耐辐射高速PWM 控制器

1 特性

3 说明

• 符合QML-V 标准，SMD 5962-8768106

• 5962R8768106VYC：

– 耐辐射加固保障(RHA) 能力高达100krad(Si) 总

电离剂量(TID) ¹

• 与电压或电流模式拓扑兼容

• 实际工作开关频率高达1MHz

• 50ns 传播延迟到输出

• 大电流双图腾柱输出（2A 峰值）

• 宽带宽误差放大器

• 带有双脉冲抑制功能的全锁存逻辑

• 逐脉冲电流限制

• 软启动/最大占空比控制

• 带有迟滞功能的欠压锁定

• 低启动电流(1.1mA)

UC1825B-SP PWM 控制器件针对高频开关模式电源应

用进行了优化。对在大大增加误差放大器的带宽和转换

率的同时，大大减小通过比较器和逻辑电路的传播延迟

给与了特别关注。这个控制器设计用于电流模式或电压

模式系统，此系统具有输出电压前馈功能。

保护电路包括一个阈值电压为 1V 的电流限制比较器、

一个 TTL 兼容关断端口和一个软启动引脚，此引脚可

对折为一个最大占空比钳位。此逻辑被完全锁存以提供

无抖动运行，并且抑制了输出上的多脉冲。一个具有

800mV 滞后的欠压闭锁部分可确保低启动电流。欠压

闭锁期间，输出为高阻抗。

这个器件特有推挽式输出，此输出被设计用来拉、灌来

自电容负载（诸如一个功率金属氧化物半导体场效应晶

体管 (MOSFET) 的栅极）的高峰值电流。导通状态设

计为高电平。

2 应用

• 耐辐射直流/直流转换器

• 卫星总线和有效载荷

• 通信负载

• 光学成像有效载荷

• 雷达成像有效载荷

• 太空运载火箭

器件信息

等级⁽²⁾

器件型号⁽¹⁾

封装

CFP (16)

飞行等级QMLV-

RHA 100krad(Si)

5962R8768106VYC

UC1825BHKT/EM

10.16mm x 7.10mm

工程样片⁽³⁾

飞行等级QMLV-

RHA KGD

100krad(Si)

• 支持多种拓扑结构：

– 反激、正激、降压、升压

5962R8768106V9A

裸片

– 推挽、半桥、全桥（采用外部接口电路时）

(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附

录。

CLOCK

(2) 有关器件等级的其他信息，请查看SLYB235。

(3) 这些器件仅适用于工程评估。器件按照不合规的流程进行加工

处理。这些器件不适用于鉴定、生产、辐射测试或飞行用途。

这些零器件无法在–55°C 至125°C 的完整MIL 额定温度范围

内或运行寿命中保证其性能。

OSC

PWM Latch

(Set Dom.)

1.25 V

RAMP

E/A Out

Wide Bandwidth

Error Amp.

−

Error

Amp

INV

Inhibit

9 µA

Toggler F/F

Out A

Soft Start

LIM

CPRTR

14 Out B

1 V

Shutdown

CPRTR

Pwr GND

/ SD

LIM

1.4 V

Output

Inhibit

Internal

Bias

9 V

UVLO

4 V

Good

REF

GND 10

REF

Gen

REF

Gate

Good

VDG−92032−2

方框图

辐射耐受性是基于初始器件认证（剂量率= 10mrad(Si)/s）获得的典型值。提供辐射批次验收测试- 详细信息请联系厂家。

本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问

www.ti.com，其内容始终优先。TI 不保证翻译的准确性和有效性。在实际设计之前，请务必参考最新版本的英文版本。

English Data Sheet: SLUSDD5

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