生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP8,.3 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | Factory Lead Time: | 6 weeks |
风险等级: | 5.18 | Is Samacsys: | N |
高边驱动器: | NO | 输入特性: | STANDARD |
接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER | JESD-30 代码: | R-GDIP-T8 |
长度: | 9.58 mm | 功能数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 输出特性: | TOTEM-POLE |
最大输出电流: | 1.5 A | 标称输出峰值电流: | 1 A |
封装主体材料: | CERAMIC, GLASS-SEALED | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP8,.3 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 20 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | MIL-STD-883 Class B | 座面最大高度: | 5.08 mm |
子类别: | MOSFET Drivers | 最大压摆率: | 12 mA |
最大供电电压: | 40 V | 最小供电电压: | 5 V |
标称供电电压: | 20 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIPOLAR | 温度等级: | MILITARY |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子节距: | 2.54 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
断开时间: | 0.08 µs | 接通时间: | 0.08 µs |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
5962-0151201VPA | TI |
完全替代 |
具有 40V VDD 和 5V 稳压输出的航天级 QMLV 1.5A/1.5A 双通 |
|
UC3709J | TI |
完全替代 |
1A 2 CHANNEL, BUF OR INV BASED MOSFET DRIVER, CDIP8, CERAMIC, DIP-8 | |
UC3711N | TI |
完全替代 |
Dual Ultra High-Speed FET Driver |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UC1709JQMLV | TI |
获取价格 |
暂无描述 | |
UC1709L | TI |
获取价格 |
DUAL HIGH-SPEED FET DRIVER | |
UC1709L883B | TI |
获取价格 |
DUAL HIGH-SPEED FET DRIVER | |
UC1709N | TI |
获取价格 |
暂无描述 | |
UC1709-SP | TI |
获取价格 |
具有 40V VDD 和 5V 稳压输出的航天级 QMLV 1.5A/1.5A 双通道栅极 | |
UC1710 | TI |
获取价格 |
High Current FET Driver | |
UC1710_11 | TI |
获取价格 |
High Current FET Driver | |
UC1710_V01 | TI |
获取价格 |
High Current FET Driver | |
UC1710J | TI |
获取价格 |
High Current FET Driver | |
UC1710J883B | TI |
获取价格 |
High Current FET Driver |