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UBCX5316

更新时间： 2024-11-18 20:07:55
品牌 Logo 应用领域
捷特科 - ZETEX 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 33K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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UBCX5316 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.23外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：25
JESD-30 代码：R-PSSO-F3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
Base Number Matches：1

UBCX5316 数据手册

  
SOT89 PNP SILICON PLANAR  
MEDIUM POWER TRANSISTOR  
ISSUE 4 – MARCH 2001  
BCX5316  
C
COMPLIMENTARY TYPE – BCX5616  
PARTMARKING DETAIL – AL  
E
C
B
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
-100  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-80  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1.5  
A
Continuous Collector Current  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
IC  
-1  
1
A
Ptot  
W
°C  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
amb  
= 25°C unless otherwise stated).  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.  
Collector-Base  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
-100  
-80  
-5  
V
V
V
IC =-100µA  
Breakdown voltage  
Collector-Emitter  
Breakdown Voltage  
IC =-10mA  
Emitter-Base  
Breakdown Voltage  
IE =-10µA  
Collector Cut-Off  
Current  
-0.1  
-20  
µA  
µA  
V
V
CB =-30V  
CB =-30V, Tamb =150°C  
Emitter Cut-Off Current IEBO  
-10  
µA  
VEB =-4V  
Collector-Emitter  
VCE(sat)  
VBE(on)  
hFE  
-0.5  
V
IC =-500mA, IB =-50mA*  
Saturation Voltage  
Base-Emitter Turn-On  
Voltage  
-1.0  
250  
V
IC =-500mA, VCE =-2V*  
IC =-5mA, VCE =-2V*  
Static Forward Current  
Transfer Ratio  
25  
100  
25  
I
C =-150mA, VCE =-2V*  
IC =-500mA, VCE =-2V*  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC =-50mA, VCE =-10V,  
f=100MHz  
Cobo  
25  
pF  
VCB =-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions.  
TBA  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UBCX56 UTC

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