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U632H16DK45

更新时间： 2024-11-09 15:55:47
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 229K
描述
Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

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U632H16DK45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：DIP, DIP28,.3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.44最长访问时间：45 ns
JESD-30 代码：R-PDIP-T28JESD-609代码：e0
长度：34.7 mm内存密度：16384 bit
内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：240电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1 mm
最大待机电流：0.003 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.08 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

U632H16DK45 数据手册

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U632H16  
PowerStore 2K x 8 nvSRAM  
Features  
S High-performance CMOS non-  
volatile static RAM 2048 x 8 bits  
S 25, 35 and 45 ns Access Times  
S 12, 20 and 25 ns Output Enable  
Access Times  
S Packages: PDIP28 (300 mil)  
automatically on power up. The  
U632H16 combines the high per-  
formance and ease of use of a fast  
SRAM with nonvolatile data inte-  
grity.  
SOP28 (300 mil)  
Description  
S ICC = 15 mA at 200 ns Cycle  
Time  
The U632H16 has two separate STORE cycles also may be initia-  
modes of operation: SRAM mode ted under user control via a soft-  
and nonvolatile mode. In SRAM ware sequence or via a single pin  
mode, the memory operates as an (HSB).  
S Automatic STORE to EEPROM  
on Power Down using external  
capacitor  
ordinary static RAM. In nonvolatile Once a STORE cycle is initiated,  
operation, data is transferred in further input or output are disabled  
parallel from SRAM to EEPROM or until the cycle is completed.  
from EEPROM to SRAM. In this Because a sequence of addresses  
mode SRAM functions are disab- is used for STORE initiation, it is  
S Hardware or Software initiated  
STORE  
(STORE Cycle Time < 10 ms)  
S Automatic STORE Timing  
S 106 STORE cycles to EEPROM  
S 100 years data retention in  
EEPROM  
led.  
important that no other read or  
The U632H16 is a fast static RAM write accesses intervene in the  
(25, 35, 45 ns), with a nonvolatile sequence or the sequence will be  
S Automatic RECALL on Power Up electrically  
erasable  
PROM aborted.  
S Software RECALL Initiation  
(RECALL Cycle Time < 20 µs)  
S Unlimited RECALL cycles from  
EEPROM  
(EEPROM) element incorporated RECALL cycles may also be initia-  
in each static memory cell. The ted by a software sequence.  
SRAM can be read and written an Internally, RECALL is a two step  
unlimited number of times, while procedure. First, the SRAM data is  
independent nonvolatile data resi- cleared and second, the nonvola-  
des in EEPROM. Data transfers tile information is transferred into  
from the SRAM to the EEPROM the SRAM cells.  
S Single 5 V ± 10 % Operation  
S Operating temperature ranges:  
0 to 70 °C  
-40 to 85 °C  
(the STORE operation) take place The RECALL operation in no way  
automatically upon power down alters the data in the EEPROM  
using charge stored in an external cells. The nonvolatile data can be  
100 µF capacitor. Transfers from recalled an unlimited number of  
the EEPROM to the SRAM (the times.  
S QS 9000 Quality Standard  
S ESD protection > 2000 V  
(MIL STD 883C M3015.7-HBM)  
S RoHS compliance and Pb- free  
RECALL operation) take place  
Pin Description  
Pin Configuration  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
1
2
3
4
5
6
7
8
VCAP  
n.c.  
A7  
VCCX  
W
HSB  
A8  
A9  
n.c.  
G
Signal Name Signal Description  
A0 - A10  
DQ0 - DQ7  
Address Inputs  
Data In/Out  
A6  
A5  
A4  
A3  
A2  
A1  
A0  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
Chip Enable  
E
PDIP  
SOP  
Output Enable  
Write Enable  
G
W
A10  
E
VCCX  
VSS  
VCAP  
Power Supply Voltage  
Ground  
Capacitor  
9
10  
11  
12  
13  
14  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
Hardware Controlled Store/Busy  
HSB  
16  
15  
Top View  
1
April 7, 2005  
1234567...14

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与U632H16DK45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
U632H16DK45G1 SIMTEK

获取价格

 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, GREEN, PLASTIC, DIP-28
U632H16S2C25G1 SIMTEK

获取价格

 		PowerStore 2K x 8 nvSRAM
U632H16S2K25G1 SIMTEK

获取价格

 		PowerStore 2K x 8 nvSRAM
U632H16SC25 SIMTEK

获取价格

 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28
U632H16SC25G1 ETC

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 		PowerStore 2K x 8 nvSRAM
U632H16SC25Z0425G1 ETC

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 		PowerStore 2K x 8 nvSRAM
U632H16SC35 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28
U632H16SC35G1 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, SOP-28
U632H16SC45 SIMTEK

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 		Non-Volatile SRAM, 2KX8, 45ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, SOP-28
U632H16SC45G1 SIMTEK

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 		2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH, GREEN, SOP-28

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