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Datasheet > 存储 > SRAM> U630H16D1K25G1
U630H16D1K25G1 PDF预览

U630H16D1K25G1

更新时间： 2024-02-11 09:07:10
品牌 Logo 应用领域
SIMTEK 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
15页 152K
描述
HardStore 2K x 8 nvSRAM

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U630H16D1K25G1 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP28,.6
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：25 nsJESD-30 代码：R-PDIP-T28
JESD-609代码：e3长度：37.1 mm
内存密度：16384 bit内存集成电路类型：NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：28
字数：2048 words字数代码：2000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2KX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.1 mm
最大待机电流：0.001 A子类别：SRAMs
最大压摆率：0.095 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

U630H16D1K25G1 数据手册

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Obsolete - Not Recommended for New Designs  
U630H16  
HardStore 2K x 8 nvSRAM  
Features  
Description  
• High-performance CMOS nonvo- The U630H16 has two separate  
further input or output are disabled  
until the cycle is completed.  
latile static RAM 2048 x 8 bits  
• 25, 35 and 45 ns Access Times  
• 12, 20 and 25 ns Output Enable  
Access Times  
modes of operation: SRAM mode  
and nonvolatile mode, determined  
by the state of the NE pin.  
Internally, RECALL is a two step  
procedure. First, the SRAM data is  
cleared and second, the nonvola-  
tile information is transferred into  
the SRAM cells.  
The RECALL operation in no way  
alters the data in the EEPROM  
cells. The nonvolatile data can be  
recalled an unlimited number of  
times.  
In SRAM mode, the memory ope-  
rates as an ordinary static RAM. In  
nonvolatile operation, data is trans-  
ferred in parallel from SRAM to  
EEPROM or from EEPROM to  
SRAM. In this mode SRAM  
functions are disabled.  
• Hardware STORE Initiation  
(STORE Cycle Time < 10 ms)  
• Automatic STORE Timing  
• 106 STORE cycles to EEPROM  
• 100 years data retention in  
EEPROM  
• Automatic RECALL on Power Up The U630H16 is a fast static RAM  
• Hardware RECALL Initiation  
(RECALL Cycle Time < 20 ms)  
• Unlimited RECALL cycles from  
EEPROM  
(25, 35, 45 ns), with a nonvolatile  
electrically erasable PROM  
(EEPROM) element incorporated  
in each static memory cell. The  
SRAM can be read and written an  
unlimited number of times, while  
independent nonvolatile data resi-  
des in EEPROM. Data transfers  
from the SRAM to the EEPROM  
(the STORE operation), or from the  
EEPROM to the SRAM (the  
RECALL operation) are initiated  
through the state of the NE pin.  
The U630H16 combines the high  
performance and ease of use of a  
fast SRAM with nonvolatile data  
integrity.  
• Unlimited Read and Write to  
SRAM  
• Single 5 V ± 10 % Operation  
• Operating temperature ranges:  
0to70 ×C  
-40to85 ×C  
-40to125 °C(only 35 ns)  
• QS 9000 Quality Standard  
• ESD protection > 2000 V  
(MIL STD 883C M3015.7-HBM)  
• RoHS compliance and Pb- free  
• Packages:SOP28 (300 mil),  
PDIP28 (300/600 mil)  
Once a STORE cycle is initiated,  
Pin Configuration  
Pin Description  
1
NE  
n.c.  
A7  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
W
2
Signal Name Signal Description  
3
n.c.  
A8  
4
A6  
A0 - A10  
Address Inputs  
Data In/Out  
5
A5  
A9  
DQ0 - DQ7  
6
A4  
n.c.  
G
Chip Enable  
E
7
A3  
PDIP  
SOP  
Output Enable  
Write Enable  
G
8
A2  
A10  
E
W
9
A1  
10  
11  
12  
13  
14  
NE  
VCC  
VSS  
Nonvolatile Enable  
Power Supply Voltage  
Ground  
A0  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
DQ3  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
VSS  
Top View  
March 31, 2006  
1
Rev 1.0  
STK Control #ML0036  
1234567...15

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与U630H16D1K25G1相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
U630H16D1K35 SIMTEK HardStore 2K x 8 nvSRAM

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U630H16D1K35 CYPRESS 2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

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