是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP28,.6 |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.26 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T28 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 37.1 mm | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP28,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 5.1 mm |
最大待机电流: | 0.000003 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
U62256ADC10 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADC10G1 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADC10LL | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADC10LLG1 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK07 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK07G1 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK07LL | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK07LLG1 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK10 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM | |
U62256ADK10G1 | ZMD |
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STANDARD 32K X 8 SRAM |