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U444-4

更新时间： 2024-11-21 21:22:27

品牌	Logo	应用领域
CALOGIC		放大器晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	27K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, TO-78, HERMETIC SEALED, MO-002AG, 7 PIN

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U444-4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-78
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W7	针数：	7
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.90.00.00	风险等级：	5.78
其他特性：	LOW NOISE	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
FET 技术：	JUNCTION	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码：	TO-78	JESD-30 代码：	O-MBCY-W7
元件数量：	2	端子数量：	7
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

U444-4 数据手册

N-Channel JFET

Monolithic Dual

LLC

U443 / U444

FEATURES

DESCRIPTION

High Gain . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . g_fs> 6 mS typical

Low Leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I_G< 1pA typical

Low Noise

The U443 Series is an N-Channel Monolithic Dual JFET

designed for high speed amplifier circuits. Featuring high gain

( > 6 mS typical), low leakage (< 1pA typical) and low noise

this device is an excellent choice for high performance test

and measurement, wideband amplifiers and VHF/UHF

circuits.

•

APPLICATIONS

Differential Wideband Amplifiers

VHF/UHF Amplifiers

Test and Measurement

Multi-Chip/Hybrids

•

ORDERING INFORMATION

•

Part

Package

Temperature Range

•

U443-4 Hermetic M0-002AG (TO-78) -55^oC to +150^oC

XU443-4 Sorted Chips in Carriers

-55^oC to +150^oC

PIN CONFIGURATION

TO-78

1 SOURCE 1

2 DRAIN 1

3 GATE 1

4 CASE/BODY

5 SOURCE 2

6 DRAIN 2

7 GATE 2

BOTTOM VIEW

CJ1

CALOGIC LLC, 237 WHITNEY PLACE, FREMONT, CA 94539, 510-656-2900 PHONE, 510-651-1076 FAX

DS079 REV A

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