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U30D60D PDF预览

U30D60D

更新时间： 2024-02-18 18:05:44
品牌 Logo 应用领域
THINKISEMI 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
2页 720K
描述
30.0 Ampere Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers

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U30D60D 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.5 V
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：15 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.05 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

U30D60D 数据手册

 浏览型号U30D60D的Datasheet PDF文件第2页 
U30D20A thru U30D60A  
®
U30D20A thru U30D60A  
Pb Free Plating Product  
30.0 Ampere Dual Common Anode Ultra Fast Recovery Rectifiers  
Unit: inch (mm)  
TO-3P/TO-247AD  
Features  
.640(16.25)  
.620(15.75)  
.199(5.05)  
.175(4.45)  
ꢀ
ꢀ
Dual rectifier construction, positive center-tap  
Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V0  
.142(3.6)  
.125(3.2)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Glass passivated chip junctions  
Superfast recovery time, high voltage  
Low forward voltage, high current capability  
Low thermal resistance  
Low power loss, high efficiency  
.095(2.4)  
High temperature soldering guaranteed:  
o
.126(3.2)  
260 C, 0.16”(4.06mm)from case for 10 seconds  
.110(2.8)  
.050(1.25)  
.045(1.15)  
Mechanical Data  
.030(0.75)  
.017(0.45)  
ꢀ
ꢀ
Cases: TO-3P/TO-247AD molded plastic  
Terminals: Pure tin plated, lead free solderable per  
MIL-STD-750. Method 2026  
.225(5.7)  
.204(5.2)  
.225(5.7)  
.204(5.2)  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Polarity: As marked  
Mounting position: Any  
Positive  
Negative  
Doubler  
Mounting torque: 10in-lbs. Max.  
Weight: 0.2 ounce, 5.6 gram approximately  
Common Cathode Common Anode Tandem Polarity  
Suffix "C" Suffix "A" Suffix "D"  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
o
Rating at 25  
C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
U30D20C  
U30D40C  
U30D40A  
U30D40D  
400  
U30D60C  
UNIT  
SYMBOL  
U30D20A  
U30D60A  
U30D60D  
600  
U30D20D  
V
V
V
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
280  
400  
420  
600  
Maximum DC Blocking Voltage  
Maximum Average Forward Rectified  
Current TC=125oC  
30.0  
300  
1.3  
A
A
V
IF(AV)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms single  
Half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
Maximum Instantaneous Forward Voltage  
@ 15.0 A  
VF  
IR  
0.98  
1.7  
Maximum DC Reverse Current @TJ=25oC  
At Rated DC Blocking Voltage @TJ=125oC  
uA  
uA  
nS  
10  
500  
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical junction Capacitance (Note 2)  
Trr  
CJ  
35  
pF  
oC  
150  
Operating Junction and Storage  
Temperature Range  
T
J, TSTG  
-55 to +150  
.
NOTES : (1) Reverse recovery test conditions I  
(2) Thermal Resistance junction to terminal.  
(3) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts DC.  
F
= 0.5A I  
R
= 1 0A Irr = 0.25A.  
Rev.04/2014  
© 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.  
Page 1/2  
http://www.thinkisemi.com/  
12

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