U1ZB51

更新时间： 2024-11-25 22:41:51

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东芝 - TOSHIBA		瞬态抑制器二极管测试
页数	文件大小	规格书
5页	131K
描述
CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS

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U1ZB51 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.64	Is Samacsys：	N
最大击穿电压：	56.1 V	最小击穿电压：	45.9 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	最大动态阻抗：	65 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	51 V	最大重复峰值反向电压：	40.8 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
工作测试电流：	6 mA	Base Number Matches：	1

U1ZB6.8~U1ZB390

TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE

U1ZB6.8~U1ZB390

CONSTANT VOLTAGE REGULATION

Unit: mm

TRANSIENT SUPPRESSORS

l Average Power Dissipation : P = 1.0 W

l Zener Voltage

: V = 6.8~390 V

l Surface Mounting Plastic Mold Package

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

UNIT

1.0

°C

Junction Temperature

−40~150

Storage Temperature Range

stg

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

Weight: 0.06g

3−4D1A

STANDARD SOLDERING PAD

MARK

2001-07-11

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
U1ZB51TE12L	TOSHIBA	获取价格	DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
U1ZB51TE12R	TOSHIBA	获取价格	DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
U1ZB56	SUNMATE	获取价格	1W patch zener diode SMA 56V series
U1ZB6.2	BL Galaxy Electrical	获取价格	6.2V,10%, Surface Mount Zener Diodes
U1ZB6.8	SUNMATE	获取价格	1W patch zener diode SMA 6.8V series
U1ZB6.8	TOSHIBA	获取价格	CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS
U1ZB6.8	BL Galaxy Electrical	获取价格	ZENER DIODES
U1ZB6.8	BL Galaxy Electrical	获取价格	6.8V,10%, Surface Mount Zener Diodes
U1ZB62	SUNMATE	获取价格	1W patch zener diode SMA 62V series
U1ZB68	TOSHIBA	获取价格	CONSTANT VOLTAGE REGULATION TRANSIENT SUPPRESSORS