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U1ZB47TE12R

更新时间： 2024-11-26 15:55:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		局域网光电二极管电视
页数	文件大小	规格书
7页	187K
描述
DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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U1ZB47TE12R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.87
Is Samacsys：	N	最大击穿电压：	51.7 V
最小击穿电压：	42.3 V	击穿电压标称值：	47 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	10 µA	表面贴装：	YES
技术：	AVALANCHE	端子形式：	C BEND
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

U1ZB6.8~U1ZB390

TOSHIBA ZENER DIODE SILICON DIFFUSED TYPE

U1ZB6.8~U1ZB390

Unit: mm

CONSTANT VOLTAGE REGULATION

TRANSIENT SUPPRESSORS

ꢀ

Average Power Dissipation : P = 1.0 W

Zener Voltage : V = 6.8 V ~ 390 V

Surface Mounting Plastic Mold Package

MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)

CHARACTERISTIC

Power Dissipation

SYMBOL

RATING

UNIT

1.0

°C

Junction Temperature

−40~150

Storage Temperature Range

stg

JEDEC

―

JEITA

TOSHIBA

Weight: 0.06g

3−4D1A

STANDARD SOLDERING PAD

2004-07-01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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U1ZB51	BL Galaxy Electrical	获取价格	ZENER DIODES
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