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U1ZB180TE12R

更新时间: 2024-11-26 19:37:31
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东芝 - TOSHIBA 局域网光电二极管电视
页数 文件大小 规格书
4页 87K
描述
DIODE UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

U1ZB180TE12R 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Lifetime Buy包装说明:R-PDSO-C2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.87
Is Samacsys:N最大击穿电压:198 V
最小击穿电压:162 V击穿电压标称值:180 V
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:R-PDSO-C2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大反向电流:10 µA表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

U1ZB180TE12R 数据手册

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