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U1B4B42TE24L

更新时间: 2024-09-25 15:55:47
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东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 46K
描述
DIODE 1 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

U1B4B42TE24L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JESD-30 代码:R-PDSO-G4最大非重复峰值正向电流:33 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:0.00001 µA
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUALBase Number Matches:1

U1B4B42TE24L 数据手册

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