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U10DCT-E3/4W

更新时间： 2024-12-01 05:52:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
5页 159K
描述
Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier

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U10DCT-E3/4W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.49
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：55 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.025 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

U10DCT-E3/4W 数据手册

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New ProdUuc(tF,B)10BCT thru U(F,B)10DCT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common-Cathode Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
TO-220AB  
ITO-220AB  
• Oxide planar chip junction  
• Ultrafast recovery time  
• Soft recovery characteristics  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• High frequency operation  
3
3
2
2
1
1
U10xCT  
UF10xCT  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 1  
PIN 3  
PIN 2  
CASE  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB, IT-220AB)  
TO-263AB  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters or polarity protection application.  
1
UB10xCT  
K
PIN 1  
PIN 2  
HEATSINK  
MECHANICAL DATA  
Case: TO-220AB, ITO-220AB and TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
5 A x 2  
100 V, 150 V, 200 V  
55 A  
25 ns  
VF  
0.89 V  
Polarity: As marked  
TJ max.  
150 °C  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
PARAMETER  
SYMBOL U(F,B)10BCT  
U(F,B)10CCT  
U(F,B)10DCT  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM 100  
150  
200  
V
total device  
per diode  
10  
5
Max. average forward rectified current (Fig. 1)  
IF(AV)  
A
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load per diode  
IFSM  
55  
8
Electrostatic discharge capacitor voltage,  
VC  
kV  
human body model: C = 150 pF, R = 1.5 kΩ (contact mode)  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min per diode  
VAC  
1500  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number: 88967  
Revision: 13-May-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
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U10DCT-E3/4W 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UGB10DCT-E3/45 VISHAY

类似代替

 DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R
VT10200C-E3/4W VISHAY

功能相似

 DIODE 5 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, R

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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