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TZX4V3-A

更新时间： 2024-11-07 10:48:43

品牌	Logo	应用领域
TEMIC		测试二极管
页数	文件大小	规格书
8页	95K
描述
Zener Diode, 4.3V V(Z), 2.44%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

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TZX4V3-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	其他特性：	LOW NOISE, VERY HIGH STABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-35	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	4.3 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	最大电压容差：	2.44%
工作测试电流：	5 mA

TZX4V3-A 数据手册

TZX...

Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes

Features

Very sharp reverse characteristic

Low reverse current level

Very high stability

Low noise

Available with tighter tolerances

Applications

94 9367

Voltage stabilization

Absolute Maximum Ratings

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

l=4mm,

Type

Symbol

Value

500

Unit

Power dissipation

T =25 C

Z–current

P /V

Junction temperature

Storage temperature range

175

stg

–65...+175

Maximum Thermal Resistance

T = 25 C

Parameter

Test Conditions

l=4mm, T =constant

Symbol

Value

300

Unit

K/W

Junction ambient

thJA

Characteristics

T = 25 C

Parameter

Forward voltage

Test Conditions

I =200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

TELEFUNKEN Semiconductors

1 (8)

Rev. A1, 10-Mar-97

12 3 4 5 6 7 8

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TZX4V3A-TAP	VISHAY	获取价格	Zener Diode, 4.1V V(Z), 2.4%, 0.5W,
TZX4V3A-TP	MCC	获取价格	Zener Diode, 4.1V V(Z), 2.44%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS
TZX4V3B	VISHAY	获取价格	Silicon Epitaxial Planar Z-Diodes
TZX4V3B	DIODES	获取价格	500mW EPITAXIAL PLANAR ZENER DIODE
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TZX4V3B-TAP	VISHAY	获取价格	Small Signal Zener Diodes