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TZX3V6B-TR

更新时间: 2024-11-06 13:15:07
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威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

TZX3V6B-TR 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.34
Is Samacsys:N其他特性:LOW NOISE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:100 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-PALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
参考标准:AEC-Q101标称参考电压:3.6 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:2.78%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

TZX3V6B-TR 数据手册

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TZX...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Very high stability  
Low noise  
Available with tighter tolerances  
Applications  
94 9367  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
l=4mm, T =25 C  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
P
V
L
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
300  
Unit  
K/W  
l=4mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
Document Number 85614  
Rev. 2, 01-Apr-99  
1 (7)  

TZX3V6B-TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BZX55B3V6-TR VISHAY

完全替代

ZENER DIODE DO35-E2 - Tape and Reel
TZX3V9A-TR VISHAY

完全替代

DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode
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Zener Diode, 3.7V V(Z), 2.7%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS
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Zener Diode, 3.7V V(Z), 2.7%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, ROHS COMPLIANT, GLASS
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Zener Diode, 3.7V V(Z), 2.7%, 0.5W,
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