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TZX11B-TR

更新时间: 2024-11-05 12:58:43
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威世 - VISHAY 二极管测试
页数 文件大小 规格书
7页 98K
描述
DIODE VOLTAGE REGULATOR DIODE, Voltage Regulator Diode

TZX11B-TR 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:0.78
其他特性:LOW NOISE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:25 Ω
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W参考标准:AEC-Q101
标称参考电压:11 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1.83%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

TZX11B-TR 数据手册

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TZX...  
Vishay Telefunken  
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes  
Features  
Very sharp reverse characteristic  
Low reverse current level  
Very high stability  
Low noise  
Available with tighter tolerances  
Applications  
94 9367  
Voltage stabilization  
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C  
j
Parameter  
Power dissipation  
Z–current  
Junction temperature  
Storage temperature range  
Test Conditions  
l=4mm, T =25 C  
Type  
Symbol  
Value  
500  
Unit  
mW  
mA  
C
P
V
L
I
Z
P /V  
V
Z
T
175  
–65...+175  
j
T
stg  
C
Maximum Thermal Resistance  
T = 25 C  
j
Parameter  
Junction ambient  
Test Conditions  
Symbol  
R
thJA  
Value  
300  
Unit  
K/W  
l=4mm, T =constant  
L
Electrical Characteristics  
T = 25 C  
j
Parameter  
Forward voltage  
Test Conditions  
I =200mA  
Type  
Symbol Min  
Typ Max Unit  
1.5  
V
F
V
F
www.vishay.de FaxBack +1-408-970-5600  
Document Number 85614  
Rev. 2, 01-Apr-99  
1 (7)  

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