TVV030A

更新时间： 2024-09-30 22:15:11

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ASI		晶体射频双极晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVV030A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.61	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	16 A	基于收集器的最大容量：	150 pF
集电极-发射极最大电压：	30 V	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TVV030A 数据手册

TVV030A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .500 4L STUD(A)

The ASI TVV030A is Designed for

.112 x 45°

Ø .630 NOM

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

1/4-28 UNF-2A

MAXIMUM RATINGS

16 A

60 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

30 V

.220 / 5.59

.230 / 5.84

1.050 / 26.67

.555 / 14.10

.505 / 12.83

.007 / 0.18

4.0 V

.545 / 13.84

.495 / 12.57

.003 / 0.08

150 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.2 ^OC/W

.830 / 21.08

.198 / 5.03

.185 / 4.70

.497 / 12.62

.530 / 13.46

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10661

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 5.0 V

4.0

BV_CER

BV_CEO

BV_EBO

h_FE

R_BE= 10 W

I_C= 1.0 A

I_C= 3.5 A

120

150

---

C_OB

V_CB= 30 V

f = 1.0 MHz

f = 225 MHz

V_CE= 28 V

7.5

-53

P_G

P_OUT= 30 W

IMD₁

dBC

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

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