TVV010

更新时间： 2024-02-26 17:53:40

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ASI		晶体射频双极晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVV010 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	10 A
集电极-发射极最大电压：	35 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	140 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TVV010 数据手册

TVV010

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .380 4L STUD

DESCRIPTION:

.112x45°

The ASI TVV010 is Designed for

FEATURES:

ØC

· Omnigold™ Metalization System

#8-32 UNC-2A

MAXIMUM RATINGS

10 A

60 V

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

.220 / 5.59

.980 / 24.89

.370 / 9.40

.004 / 0.10

.320 / 8.13

.100 / 2.54

.450 / 11.43

.090 / 2.29

.155 / 3.94

.230 / 5.84

35 V

.385 / 9.78

.007 / 0.18

.330 / 8.38

.130 / 3.30

.490 / 12.45

.100 / 2.54

.175 / 4.45

.750 / 19.05

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

2.2 ^OC/W

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10656

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

4.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

V_CE= 25 V

I_C= 1600 mA

f = 225 MHz

P_GE

P_OUT= 10 W

IMD₁

-54

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TVV030	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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