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TVU150AA

更新时间： 2024-10-01 19:56:35

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描述
Transistor,

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TVU150AA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	25 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	310 W
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

TVU150AA 数据手册

TVU150Aa

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .450 BAL FLG.(B)

The TVU 150Aa is a Common

Emitter Device Designed for Class A

and AB Amplifier Applications in TV

Band IV-V Transmitters.

.120 x 45°

FULL R

.208

FEATURES:

4X.060 R

.050 NOM.

.210

· P_G= 7.5 dB Typical @ 860 MHz

· Internal Input Matching Networks

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

.373 / 9.47

.385 / 9.78

MAXIMUM RATINGS

.205 / 5.21

.120 / 3.25

.411 / 10.44

.825 / 20.96

.525 / 13.34

1.255 / 31.88

1.675 / 42.55

.002 / 0.05

.095 / 2.41

.115 / 2.92

.130 / 3.30

.421 / 10.69

.865 / 21.97

.535 / 13.59

1.265 / 32.18

1.685 / 42.80

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.135 / 3.43

.250 / 6.35

.457 / 11.61

I_C

25 A

V_CB

P_DISS

T_J

60 V

310 W @ T_C= 25 ^OC

-55 ^OC to +200 ^OC

-55 ^OC to +150 ^OC

0.55 ^OC/W

.445 / 11.30

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10653

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

BV_CBO

BV_EBO

I_CES

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 5.0 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 5.0 V

3.0

---

h_FE

I_C= 3.0 A

100

C_OB

V_CB= 28 V

V_CE= 28 V

f = 1.0 MHz

100

P_G

I_C= 2 X 500 mA

P_OUT= 150 W

f = 860 MHz

6.5

7.5

h _C

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

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Specifications are subject to change without notice.

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