TVU150A

更新时间： 2024-09-30 22:15:15

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ASI		晶体晶体管射频
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1页	21K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVU150A 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.06	最大集电极电流 (IC)：	25 A
基于收集器的最大容量：	100 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	310 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

TVU150A 数据手册

TVU150A

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .450 BAL FLG(B)

The ASI TVU150A is Designed for

.120 x 45°

FULL R

FEATURES:

.208

· Input Matching Network

4X.060 R

.050 NOM.

.210

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

25 A

60 V

I_C

.373 / 9.47

.385 / 9.78

.205 / 5.21

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

.120 / 3.25

.411 / 10.44

.825 / 20.96

.525 / 13.34

1.255 / 31.88

1.675 / 42.55

.002 / 0.05

.130 / 3.30

.421 / 10.69

.865 / 21.97

.535 / 13.59

1.265 / 32.18

1.685 / 42.80

.006 / 0.15

.105 / 2.67

.135 / 3.43

.250 / 6.35

.457 / 11.61

30 V

3.0 V

310 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.55 ^OC/W

.095 / 2.41

.115 / 2.92

.445 / 11.30

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10653

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CEO

BV_EBO

I_CES

3.0

---

h_FE

I_C= 3.0 A

C_OB

P_G

V_CB= 28 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

100

V_CE= 28 V

P_OUT= 150 W

I_C= 2 X 500 mA

6.5

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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TVU150AA	ASI	获取价格	Transistor,
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TVV005	ASI	获取价格	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
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