TVU150

更新时间： 2024-01-20 06:03:51

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1页	22K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVU150 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	25 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	15	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	310 W
子类别：	Other Transistors	Base Number Matches：	1

TVU150 数据手册

TVU150

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .400 BAL FLG(C)

The ASI TVU150 is Designed for

.080x45°

FULL R

(4X).060 R

FEATURES:

· Input Matching Network

.1925

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

MAXIMUM RATINGS

DIM

.220 / 5.59

.230 / 5.84

25 A

28 V

I_C

.210 / 5.33

.120 / 3.05

.380 / 9.65

.780 / 19.81

.130 / 3.30

.390 / 9.91

.820 / 20.83

V_CEO

V_CES

V_EBO

P_DISS

T_J

.435 / 11.05

60 V

1.090 / 27.69

1.335 / 33.91

.003 / 0.08

.060 / 1.52

.082 / 2.08

1.345 / 34.16

.007 / 0.18

.070 / 1.78

.100 / 2.54

.205 / 5.21

.407 / 10.34

.870 / 22.10

3.5 V

300 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

0.55 ^OC/W

.395 / 10.03

.850 / 21.59

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10652

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 100 mA

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_CE= 30 V

V_CE= 5.0 V

3.5

4.0

BV_CER

BV_CES

BV_EBO

I_CES

R_BE= 200 W

---

h_FE

I_C= 1.0 A

120

C_OB

V_CB= 26 V

f = 1.0 MHz

f = 860 MHz

V_CC= 26 V

I_CQ= 2 X 3000 mA

P_G

IMD₁

9.0

P_OUT= 40 W

-52

dBc

Load

V_CC= 26 V I_CQ= 2 X 150 mA P_OUT= 150 W PEP

VSWR = 5:1 @ all phase angles

No Degradation in Output

Power

Mismatch

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV. A

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

1/1

Specifications are subject to change without notice.

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