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TVU05B

更新时间： 2024-01-16 10:48:52

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ASI		晶体晶体管射频
页数	文件大小	规格书
1页	20K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVU05B 数据手册

TVU0.5B

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .205 4L STUD

The ASI TVU0.5B is Designed for

FEATURES:

· Omnigold™ Metalization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32UNC

2.0 A

45 V

I_C

V_CBO

V_CEO

V_EBO

P_DISS

T_J

MINIMUM

inches mm

MAXIMUM

inches mm

DIM

25 V

.976 / 24.800

.028 / 0.700

1.000 / 25.4000

.031 / 0.800

3.5 V

.138 / 3.500

31.8 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

33 ^OC/W

.161 / 4.100

.098 / 2.500

.200 / 5.100

.196 / 5.000

.110 / 2.800

.208 / 5.300

.004 / 0.100

.425 / 10.800

.200 / 5.100

.006 / 0.150

.465 / 11.800

2.05 / 5.200

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10642

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CBO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 1.0 mA

I_C= 20 mA

I_E= 0.25 mA

V_CB= 28 V

V_CE= 5.0 V

BV_CE

BV_EBO

I_CBO

3.5

0.45

120

---

h_FE

I_C= 100 mA

I_C= 150 mA

P_G

V_CE= 20 V

f = 860 MHz

IMD₁

P_OUT= 0.5 W

-58

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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