TVU012

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

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描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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TVU012 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.09
最大集电极电流 (IC)：	3.5 A	集电极-发射极最大电压：	28 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	10
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-CDFM-F8
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TVU012 数据手册

TVU012

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

PACKAGE STYLE .400 8L FLG

DESCRIPTION:

The ASI TVU012 is Designed for

FULL

FEATURES:

.1925

.125

x .060 R

· Input Matching Network

· Omnigold™ Metalization System

MINIMUM

MAXIMUM

inches mm

DIM

inches

.030

.360

.130

0.76

9.14

3.30

MAXIMUM RATINGS

.115

.065

.380

2.92

1.65

.125

.075

3.18

1.91

10 A

60 V

I_C

9.65

18.67

16.38

22.73

10.67

0.08

.390

.765

.655

.905

.430

.007

.130

.175

.280

.405

9.91

19.43

16.64

22.99

10.92

0.18

V_CB

V_CE

P_DISS

T_J

.735

.645

.895

.420

.003

.120

.159

35 V

140 W @ T_C= 25 ^OC

-65 ^OC to +200 ^OC

-65 ^OC to +150 ^OC

1.6 ^OC/W

3.05

3.30

4.04

4.45

7.11

.395

10.03

10.29

T_STG

q_JC

ORDER CODE: ASI10646

CHARACTERISTICS T_C= 25 ^OC

SYMBOL

BV_CEO

NONETEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 50 mA

I_E= 10 mA

V_E= 28 V

BV_CER

BV_EBO

I_CES

R_BE= 10 W

4.0

---

h_FE

V_CE= 5.0 V

I_C= 1.0 A

100

9.0

-52

P_G

IMD₁

V_CE= 26.5 V

P_OUT= 12 W

I_C= 2 X 0.85 mA

f = 860 MHz

dBc

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

7525 ETHEL AVENUE · NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 · (818) 982-1200 · FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

REV. A

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