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TTP30P10AT

更新时间： 2024-03-03 10:09:52

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
11页	840K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTP30P10AT 数据手册

TTB30P10AT,TTD30P10AT,TTP30P10AT,TTU30P10AT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

100V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

General Description

Product Summary

 Trench Power technology

 Low R_DS(ON)

V_DS

-100V

I_D(at V_GS=-10V)

-30A

 Low Gate Charge

R_DS(ON)(at V_GS=-10V)

R_DS(ON)(at V_GS=-4.5V)

< 46mΩ

< 50mΩ

 Optimized for fast-switching applications

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-263

TO-252

TO-220

TO-251-SL

Part Number

Package Type

Form

Marking

TTB30P10AT

TTD30P10AT

TTP30P10AT

TTU30P10AT

TO-263

TO-252

Tape&Reel

Tube

30P10AT

TO-220

TO-251-SL

Tape&Reel

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

- 100

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25ºC

-30

-21

Continuous Drain Current

I_D

T_C=100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

-90

-30

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

T_C=25ºC

E_AS

135

ºC

136

Power Dissipation

P_D

T_C=100ºC

68.2

Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

T_J, T_STG

-55 to 175

Symbol

R_ƟJC

Maximum

1.1

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

ºC /W

Maximum Junction-to-Ambient

R_ƟJA

100

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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