Datasheet > TTP100N04AT

TTP100N04AT

更新时间： 2024-04-09 19:02:56

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	635K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TTP100N04AT 数据手册

TTP100N04AT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

40V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)



General Description

Product Summary

 Trench Power technology

 Low R_DS(ON)

V_DS

40V

I_D(at V_GS=10V)

100A

 Low Gate Charge

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

< 4.5mΩ

< 7.0mΩ

 Optimized for fast-switching applications

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-220

Part Number

Package Type

Form

Marking

TTP100N04AT

TO-220

Tube

100N04AT

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_GS

±20

T_C=25ºC

100

Continuous Drain Current

I_D

T_C=100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

300

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

T_C=25ºC

E_AS

ºC

127

Power Dissipation

P_D

T_C=100ºC

Junction and Storage Temperature Range

Thermal Characteristics

Parameter

T_J, T_STG

-55 to 175

Symbol

R_ƟJC

Maximum

1.18

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

ºC /W

Maximum Junction-to-Ambient

R_ƟJA

100

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与TTP100N04AT相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TTP105N06A	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP105N08A	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP108N08A	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP110N03GT	WUXI UNIGROUP	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T	获取价格
TTP112-ADA	TTELEC	CONTINUOUS TOUCH DIMMER FOR DC LED LIGHTING	获取价格
TTP112-BOB	TTELEC	CONTINUOUS TOUCH DIMMER FOR DC LED LIGHTING	获取价格