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TTD90N03AT

更新时间： 2024-11-08 15:18:39

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
7页	632K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTD90N03AT 数据手册

TTD90N03AT

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

30V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

Features

Product Summary

VDS

30V

< 5mΩ

< 7mΩ

90A

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

R_DS(ON)(at V_GS=4.5V)

I_D(at V_GS=10V)

100% UIS Tested

 Low Gate Charge

 Optimized for Fast-switching Applications

Applications

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-252

Device

Package

TO-252

Marking

90N03AT

TTD90N03AT

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage (V_GS= 0V)

V_DSS

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

270

±20

Gate-Source Voltage

V_GS

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

Avalanche Current

I_As

P_D

108

T_C= 25ºC

Power Dissipation

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_SGT

-55~+175

ºC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

1.45

100

ºC /W

V1.1

www.tsinghuaicwx.com

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