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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP | ![]() |
栅 |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 745K | ![]() |
描述 | ||
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TTD5BK | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 5FT |
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TTD5BL | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 5FT |
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TTD5GN | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND GREEN 5FT |
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TTD5O | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND ORANGE 5FT |
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TTD5R | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND RED 5FT |
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TTD60N03QT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD65N04AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T |
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TTD6BK | SWITCH |
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Interconnection Device, |
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TTD6BL | SWITCH |
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Interconnection Device, |
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TTD6O | ETC |
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PATCHCORD DUAL 3COND ORANGE 6FT |
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