5秒后页面跳转
TTD40P03AT PDF预览

TTD40P03AT

更新时间: 2024-11-21 17:02:07
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
7页 624K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTD40P03AT 数据手册

 浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TTD40P03AT的Datasheet PDF文件第7页 
TTD40P03AT  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
30V P-Channel Trench MOSFET(Preliminary)  
General Description  
Product Summary  
Trench Power technology  
Low RDS(ON)  
VDS  
-30V  
-40A  
ID (at VGS =10V)  
Low Gate Charge  
RDS(ON) (at VGS =-10V)  
RDS(ON) (at VGS =-4.5V)  
< 19mΩ  
Optimized for fast-switching applications  
< 32mΩ  
Applications  
100% UIS Tested  
Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
TO-252  
Part Number  
Package Type  
Form  
Marking  
TTD40P03AT  
TO-252  
Tape&Reel  
40P03AT  
Absolute Maximum Ratings (TA =25ºC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
VDS  
Maximum  
- 30  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
V
VGS  
±20  
TC =25ºC  
-40  
-28  
B
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC =100ºC  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IAS  
-120  
A
A
A
Avalanche Current  
-20  
A
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.3mH  
TC =25ºC  
EAS  
60  
60  
mJ  
W
W
ºC  
C
Power Dissipation  
PD  
TC =100ºC  
30  
Junction and Storage Temperature Range  
Thermal Characteristics  
Parameter  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
Symbol  
RƟJC  
Maximum  
2.5  
Units  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
ºC /W  
Maximum Junction-to-Ambient  
RƟJA  
100  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
1

与TTD40P03AT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TTD4BK ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 4FT
TTD4BL ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 4FT
TTD4GN SWITCH

获取价格

Interconnection Device,
TTD4GY ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND GRAY 4FT
TTD4O ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND ORANGE 4FT
TTD4P ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND PURPLE 4FT
TTD50N03Q WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTD50P04AT WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTD5BK ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLACK 5FT
TTD5BL ETC

获取价格

PATCHCORD DUAL 3COND BLUE 5FT